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2021年各地“十四五”集成電路產業發展規劃和產業規模目標

來源:中機院  時間:2021-09-13  點擊:
  2021年是“十四五”的開元之年,集成電路行業作為規劃綱要重點發展方向,成為各地爭相發展新地標。2021年各地發布了集成電路產業發展規劃和產業規模目標。到2025年我國集成電路產業規模(設計、制造、封測、設備、材料)將超過40000億元。

2021年是“十四五”的開元之年,集成電路行業作為規劃綱要重點發展方向,成為各地爭相發展新地標。2021年各地發布了集成電路產業發展規劃和產業規模目標。
 
研究院整理了全國省/自治區/直轄市及集成電路發展重要城市的相關集成電路規劃和產業規模目標,以供參考。
 
根據研究院的統計和估算,到2025年我國集成電路產業規模(設計、制造、封測、設備、材料)將超過40000億元。
 
到2025年集成電路產業規模預估超過千億級的省/自治區/直轄市有11個,分別是(按拼音排序):安徽、北京、福建、廣東、湖北、江蘇、上海、山東、陜西、四川、浙江。百億級的省/自治區/直轄市有7個,分別是(按拼音排序):重慶、甘肅、河北、湖南、江西、遼寧、天津。
 
省/自治區/直轄市十四五期間集成電路產業規模規劃情況(單位:億元)
省市 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
安徽 1000        
北京         3000
福建          
廣東         4000
湖北   1000      
江蘇          
山東   1000      
陜西          
上海 2440        
四川   1500     2000
浙江         2500
重慶   350      
甘肅         200
河北         200
湖南         300
江西         500
遼寧         800
天津     400    
 
到2025年集成電路產業規模超過千億級的城市有17個,分別是(按拼音排序):北京、成都、廣州、合肥、寧波、南京、南通、泉州、上海、紹興、深圳、蘇州、武漢、無錫、廈門、西安、珠海。百億級城市有15個,分別是(按拼音排序):長沙、常州、池州、重慶、大連、杭州、濟南、南昌、青島、沈陽、石家莊、天津、天水、徐州、株洲。
城市十四五期間集成電路產業規模規劃情況(單位:億元)
城市 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
北京         3000
成都         2000
廣州   1000      
合肥   700     1000
南京   350      
南通         1000
寧波         1000
泉州          
上海 2440        
紹興   500     1000
深圳     2000    
蘇州     850   1000
無錫   1500     2000
武漢   1000      
廈門         1500
西安         2000
珠海         1000
長沙          
常州          
重慶   350      
池州         300
大連     500    
杭州         800
濟南          
南昌          
青島          
沈陽         200
石家莊         200
天津     400    
天水         200
徐州         500
株洲 50        
 
到2025年集成電路產業規模(設計、制造、封測、設備、材料)超過千億級的產業園區有9個,分別是:(按拼音排序)北京亦莊(經開區)、成都高新區、南京江北新區、泉州芯谷、上海臨港新片區、上海張江園區、紹興濱海新區、無錫高新區、西安高新區。
 
北京市(簡稱:京)
 
2021年8月18日,北京市人民政府發布《北京市“十四五”時期高精尖產業發展規劃》(京政發〔2021〕21號)。
 
《發展規劃》指出以自主突破、協同發展為重點,構建集設計、制造、裝備和材料于一體的集成電路產業創新高地,打造具有國際競爭力的產業集群。重點布局北京經濟技術開發區、海淀區、順義區。
 
(1)集成電路創新平臺。以領軍企業為主體、科研院所為支撐,建立國家級集成電路創新平臺;支持新型存儲器、CPU、高端圖像傳感器等重大戰略領域基礎前沿技術的研發和驗證,形成完整知識產權體系。
 
(2)集成電路設計。重點布局海淀區,聚力突破量大面廣的國產高性能CPU、FPGA、DSP等通用芯片及EDA工具的研發和產業化;面向消費電子、汽車電子、工業互聯網、超高清視頻等領域發展多樣化多層次行業應用芯片;支持技術領先的設計企業聯合產業鏈上下游建設產業創新中心。
 
(3)集成電路制造。堅持主體集中、區域集聚,圍繞國家戰略產品需求,支持北京經濟技術開發區、順義區建設先進特色工藝、微機電工藝和化合物半導體制造工藝等生產線。
 
(4)集成電路裝備。支持北京經濟技術開發區建設北京集成電路裝備產業園,建設國內領先的裝備、材料驗證基地,打造世界領先的工藝裝備平臺企業和技術先進的光刻機核心部件及裝備零部件產業集群;加快完善裝備產業鏈條,提升成熟工藝產線成套化裝備供給能力以及關鍵裝備和零部件保障能力。
 
《規劃》還提出搶先布局一批未來前沿產業。包括:
 
(1)量子信息領域完善量子信息科學生態體系,加強量子材料工藝、核心器件和測控系統等核心技術攻關,推進國際主流的超導、拓撲和量子點量子計算機研制,開展量子保密通信核心器件集成化研究,搶占量子國際競爭制高點。
 
(2)光電子領域積極布局高數據容量光通信技術,攻克光傳感、大功率激光器等方向材料制備、器件研制、模塊開發等關鍵技術,推動硅基光電子材料及器件、大功率激光器國產化開發。
 
(3)新型存儲器領域開展先進DRAM技術研發,推進17nm/15納米DRAM研發與量產,突破10納米DRAM部分關鍵技術。
 
《北京市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,重點發展集成電路產業。
 
(1)以設計為龍頭,以裝備為依托,以通用芯片、特色芯片制造為基礎,打造集成電路產業鏈創新生態系統。
 
(2)開發IP庫和工具軟件,建設集成電路裝備工藝驗證與技術創新平臺,建成中關村集成電路設計園二期、中國移動國際信息港、北京經濟技術開發區集成電路裝備產業基地二期和國家信創園。
 
(3)支持先進工藝、制造材料、EDA、碳基集成電路等一批突破性項目,實施集成電路制造業新生產力布局項目和集成電路裝備產業基地項目,支持8英寸晶圓產線和8英寸MEMS高端產線落地,夯實“研發線+量產線”協同格局。
 
(4)支持創新企業共同組建光刻機研發中心,積極發展7/5/3納米刻蝕設備、薄膜設備、離子注入機等高端裝備,支持光刻機中光學鏡頭、光源及工件臺等自主可控項目建設。
 
(5)鼓勵企業開展AI芯片、高端傳感器等人工智能細分領域應用,建設國家高端儀器和傳感器產業基地。
 
(6)加快基礎智造工藝、元器件等技術攻關,培育核心零部件、高端裝備制造工業。
 
 
北京經開區(亦莊)
2021年7月發布的《"十四五"時期北京經濟技術開發區發展建設和二〇三五年遠景目標規劃》指出,“十四五”期間,北京經開區在產業鏈創新鏈上將進一步發力,以“白菜心”工程等重大攻堅項目為抓手,繼續強化集成電路制造和裝備環節優勢,確立北京經開區在全國集成電路全產業鏈發展的領導地位。
 
《目標規劃》指出,引領集成電路自主可控發展。
 
(1)以自主可控為導向,率先組織開展集成電路產學研用一體化突破,推動芯片設計、先進制造、關鍵設備、零部件、核心材料、先進封測等集成電路全產業鏈發展
 
(2)重點布局圖像傳感器、超高清顯示、存儲、車規、國產CPU、IGBT等芯片設計細分領域。強化制造領域引領地位,加快中芯國際產能提升,支持存儲器芯片快速量產。
 
(3提升關鍵設備核心競爭力,實現刻蝕、薄膜、離子注入等關鍵裝備全布局,形成區域集中、協同發展的集群效應。
 
(4)聯合攻關金屬部件、硅基及陶瓷等非金屬部件、電子部件的供應安全問題,重點關注光刻機核心部件,支持光學鏡頭、激光光源、工件臺及計算光刻軟件等規模化應用,探索光刻機整機測試平臺建設。
 
(5)填補核心材料產業空白環節,實現光刻膠、濺射靶材和專用氣體等材料國產化突破。
 
(6)加速先進封裝工藝和測試能力落地,滿足國產CPU、顯示驅動和5G射頻產品封測需求,補齊區域短板。
 
 
上海市(簡稱:滬)
 
2021年6月發布的《上海市戰略性新興產業和先導產業發展“十四五”規劃》提出,以國家重大戰略任務為牽引,強化創新平臺體系建設、關鍵技術攻關和重大項目布局,持續提升產業能級和綜合優勢。“十四五”期間,集成電路產業規模年均增速達到20%左右,力爭在制造領域有兩家企業營收穩定進入世界前列,在設計、裝備材料領域培育一批上市企業。到2025年,基本建成具有全球影響力的集成電路產業創新高地。先進制造工藝進一步提升,芯片設計能力國際領先,核心裝備和關鍵材料國產化水平進一步提高,基本形成自主可控的產業體系。
 
重點發展:1、集成電路設計。提升5G通信、桌面CPU、人工智能、物聯網、汽車電子等核心芯片研發能力,加快核心IP開發,推進FPGA、IGBT、MCU等關鍵器件研發。提升集成電路設計工具供給能力,培育全流程EDA平臺,優化國產EDA產業發展生態環境。2、制造和封測。擴大集成電路成熟工藝產線產能,提高產品良率,提升先進工藝量產規模,繼續加快先進工藝研發。提升特色工藝芯片研發和規模制造能力。進一步提升先進封裝測試產業規模。3、裝備和材料。加快研制具有國際一流水平的刻蝕機、清洗機、離子注入機、量測設備等高端產品。開展核心裝備關鍵零部件研發。提升12英寸硅片、先進光刻膠研發和產業化能力。
 
2021年7月5日,上海市人民政府發布《上海市先進制造業發展“十四五”規劃》(滬府辦發〔2021〕12號)。
 
《規劃》提出發揮上海產業基礎和資源稟賦優勢,以集成電路、生物醫藥、人工智能三大先導產業為引領,大力發展電子信息、生命健康、汽車、高端裝備、先進材料、時尚消費品六大重點產業,構建“3+6”新型產業體系,打造具有國際競爭力的高端產業集群。
 
《規劃》提出以自主創新、規模發展為重點,提升芯片設計、制造封測、裝備材料全產業鏈能級。
 
(1)芯片設計,加快突破面向云計算、數據中心、新一代通信、智能網聯汽車、人工智能、物聯網等領域的高端處理器芯片、存儲器芯片、微處理器芯片、圖像處理器芯片、FPGA、5G核心芯片等,推動骨干企業芯片設計能力進入3納米及以下,打造國家級EDA平臺,支持新型指令集、關鍵核心IP等形成市場競爭力。
 
(2)制造封測,加快先進工藝研發,支持12英寸先進工藝生產線建設和特色工藝產線建設,爭取產能倍增,加快第三代化合物半導體發展;發展晶圓級封裝、2.5D/3D封裝、柔性基板封裝、系統封裝等先進封裝技術。
 
(3)裝備材料,加強裝備材料創新發展,突破光刻設備、刻蝕設備、薄膜設備、離子注入設備、濕法設備、檢測設備等集成電路前道核心工藝設備;提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻膠、濕化學品、電子特氣等基礎材料產能和技術水平,強化本地配套能力。
 
《規劃》還提出充分發揮張江實驗室、國家集成電路創新中心等“1+4”創新體系的引領作用,加強前瞻性、顛覆性技術研發和布局,聯合長三角開展產業鏈協作。加快建設上海集成電路設計產業園、東方芯港、電子化學品專區等特色產業園區載體,引進建設一批重大項目。到2025年,基本建成具備自主發展能力、具有全球影響力的集成電路創新高地。
 
《上海市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,重點發展集成電路產業。具體計劃包括:
 
(1)增強集成電路產業自主創新能力。努力打造完備產業生態,加快建設張江實驗室,加強前瞻性、顛覆性技術研發布局,構建上海集成電路研發中心等為主要支撐的創新平臺體系。
 
(2)圍繞國家重大生產力布局,推動先進工藝、特色工藝產線等重大項目加快建設盡早達產,加快高端芯片設計、關鍵器件、核心裝備材料、EDA設計工具等產業鏈關鍵環節攻關突破,加強長三角產業鏈協作,逐步形成綜合性集成電路產業集群,帶動全國集成電路產業加快發展。
 
(3)促進人工智能深度賦能實體經濟,在智能芯片、智能軟件、智能駕駛、智能機器人等領域,持續落地一批重大產業項目。
 
(4)在第六代通信、下一代光子器件等方面,加強科技攻關與前瞻謀劃,為未來產業發展奠定基礎。
 
(5)在上海自貿試驗區改革創新方面,要探索建立集成電路全產業鏈保稅模式。
 
(6)培育壯大前沿產業集群和新興業態。聚焦集成電路全產業鏈環節關鍵核心技術突破,建設國家級集成電路綜合產業基地。
 
浦東新區
2021年7月發布的《中共中央國務院關于支持浦東新區高水平改革開放打造社會主義現代化建設引領區的意見》提出,打造集成電路世界級創新產業集群。
 
根據《意見》,浦東新區將實施集成電路強鏈育鏈補鏈提升工程,支持龍頭企業對標國際領先水平,發展先進制造工藝技術,瞄準面廣量大的全球市場需求,加快推進成熟工藝節點的產能建設,補齊產業鏈供應鏈短板,加快構建集設計、制造、封測、裝備材料為一體的產業集聚區。
 
2021年8月26日,浦東新區發布的《浦東新區促進制造業高質量發展“十四五”規劃》提出,著力提升電子元器件制造能級。聚焦集成電路制造,帶動半導體分立器件制造、顯示器件制造等電子器件制造,帶動電子電子制造、敏感元件信傳感器制造等電子元件及專用材料制造。
 
《規劃》提出,打造具有全球競爭力的全鏈條產業體系,聚焦張江集成電路設計產業園、東方芯港(臨港集成電路裝備和材料產業園)建設,培育引進一批骨干企業,著力攻克一批關鍵核心技術,應用推廣一批創新產品。
 
張江強化集成電路設計帶動引領功能,臨港強化集成電路裝備材料自主可控能力,外高橋提升集成電路封測先進水平。
 
做強集成電路覆蓋設計、制造、封測和設備材料等產業鏈環節;強化在集成電路領域的光刻機、離子刻蝕機等裝備的自主創新,聚焦關鍵領域核心環節,集聚靶點突破,運用科技創新實現技術和工藝突破,將產業鏈中一部分舉足輕重的基礎材料、基礎技術、核心零部件實現本土化、產業化。
 
臨港新片區
2021年3月3日,上海臨港新片區發布的《中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區集成電路產業專項規劃(2021-2025)》指出,到2025年,先進工藝、成熟工藝、特色工藝進入國際前列,EDA工具、光刻膠、大硅片等關鍵“卡脖子”技術產業化取得突破,2種以上關鍵裝備進入全球領先制造企業采購體系。引進培育5家以上國內外領先的芯片制造企業;形成5家年收入超過20億元的設備材料企業;培育10家以上的上市企業,圍繞5G、CPU、人工智能、物聯網、無人駕駛等細分領域發展壯大一批獨角獸設計企業。芯片制造、裝備材料主導地位進一步加強,芯片設計、封裝測試形成規模化集聚。 
 
2020年12月18日發布的《臨港新片區前沿產業發展“十四五”規劃》指出,到2025年,初步形成國家級集成電路綜合產業基地。打造“東方芯港”特色產業園區,形成具有國際影響力的核心產業集聚區。
 
“東方芯港”將圍繞核心芯片、特色工藝、關鍵裝備和基礎材料等領域實現關鍵核心技術攻關,建設國家級集成電路綜合性產業基地。
 
在產業空間分布上,“東方芯港”將按照“10+X”布局,在前沿產業區規劃10平方公里產業用地,作為新片區集成電路產業核心承載區;同時,規劃“X”處集聚發展區域,比如,將國際創新協同區作為新片區集成電路研發創新集聚區,布局高端芯片設計、功能性平臺、創新孵化器(加速器)等;將綜合保稅區作為新片區集成電路產業外向型發展的窗口,布局保稅研發、保稅制造、集成電路貿易流通、支持服務等。
 
張江科學城
2021年7月發布的《上海市張江科學城發展“十四五”規劃》指出,加快集成電路關鍵核心技術突破。引進培育一批世界一流集成電路設計企業,著力提升高端芯片設計能力。支持芯片制造企業推動先進制程工藝芯片規模量產,大力發展下一代集成電路生產工藝和產品。支持集成電路材料、設備企業加大研發力度,提升生產制造能力。加快人工智能融合賦能應用,支持基礎AI芯片研發,以類腦算法和類腦芯片為方向,加快感知識別、知識計算、認知推理、運動執行、智能無人系統等共性關鍵核心技術創新突破。推動人工智能與其他產業融合發展。
 
《規劃》明確建設特色產業園,上海集成電路設計產業園,聯動集成電路裝備材料產業基地、中試產業區等平臺載體,打造國家級全產業鏈的集成電路集群。
 
2020年,張江示范區集成電路產業銷售規模達到約1800億元。

 
天津市(簡稱:津,別稱:津沽)
2021年5月發布的《天津市產業鏈高質量發展三年行動方案(2021—2023年)》提出,發揮集成電路設計領域優勢,夯實集成電路制造、計算機零部件及外圍設備制造等領域基礎,重點推動新一代CPU、大規模集成電路晶圓生產線、先進封測生產線、化學機械拋光(CMP)設備、第三代半導體材料等項目建設,引進和研制圖形處理器、存儲器、第五代移動通信(5G)技術芯片、刻蝕機等高端項目和產品。到2023年,培育形成5至7家具有行業領先地位的龍頭企業,引育若干關鍵核心企業,實現關鍵裝備核心產品突破“卡脖子”,在國產CPU、移動通信、工業控制、信息安全等細分領域形成特色鮮明、優勢突出的產業集群,培育良好產業生態,推動國產CPU、射頻芯片自給率市場份額逐年提高。強調加快建設世界最大的8英寸芯片生產基地;
 
2021年6月,天津市人民政府發布《天津市制造業高質量發展“十四五”規劃》(津政辦發〔2021〕23號)。
 
《規劃》提出加快發展以人工智能產業為核心、以新一代信息技術產業為引領、以信創產業為主攻方向、以新型智能基礎設施為關鍵支撐、各領域深度融合發展的新興產業,加快建設“天津智港”。
 
《規劃》提到,要發展新一代信息技術材料。擴大8-12英寸硅單晶拋光片和外延片產能,加快6英寸半絕緣砷化鎵等研發生產。開發生產高精度、高穩定性、高功率光纖材料,提升光電功能晶體材料研究開發和產業化水平。推動氟化氬光刻膠、正性光刻膠材料綠色發展,改進光刻膠用光引發劑等高分子助劑材料性能,提升拋光液材料環保性。
 
《規劃》強調要夯實產業基礎能力。實施產業基礎再造工程,著力推動核心基礎零部件(元器件)、工業基礎軟件、關鍵基礎材料、先進基礎工藝等領域研發創新、重點突破,強化產業技術基礎研究攻關,提升產品和技術競爭力,補齊產業鏈供應鏈短板。支持企業通過“揭榜掛帥”等方式承擔重大攻關項目,加快解決共性基礎問題,增強自主保障能力。積極承接一批國家級重點產業基礎項目,引導產學研用聯合開展關鍵核心技術和共性技術攻關,加快實現產業化突破。重點推動唯捷創芯5G終端高集成度射頻模組、國芯可信計算系列系統級芯片(SOC)等核心基礎零部件項目,實施中環領先材料集成電路硅片、金橋焊材高端焊接材料等關鍵基礎材料項目,以及北特汽車輕量化鋁合金精密成型自動化制造等先進基礎工藝項目。
 
《天津市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出:集成電路是天津發展信創產業發展高地的重點發展產業。
 
(1)強化芯片設計、高端服務器制造等優勢,補齊芯片制造、封測、傳感器、通信設備等薄弱或缺失環節,建成“芯片—整機終端”基礎硬件產業鏈,實現全鏈發展。著力夯實制造業根基。增強制造業核心競爭力。實施產業基礎再造工程,著力推動核心基礎零部件和元器件、關鍵基礎材料、先進基礎工藝、工業基礎軟件、產業技術基礎等領域研發創新、重點突破,全面提升工業基礎能力。
 
(2)提出要重點發展 CPU、5G、物聯網、車聯網等領域的處理器芯片設計,在系統級芯片(SoC)、圖形處理器(GPU)、可編程邏輯門陣列(FPGA)等領域突破一批關鍵技術。做強芯片用8-12英寸半導體硅片制造,布局12英寸晶圓生產線項目。
 
目前天津市形成了濱海新區以IC設計為主導,西青區主攻芯片制造、封裝測試,津南區聚焦高端設備、材料領域的分布格局。

 
重慶市(簡稱:渝,別稱:山城)
 
《重慶市半導體產業發展五年工作方案》提出,重慶將聚焦“功率半導體芯片、存儲芯片、模擬與數模混合芯片、人工智能和物聯網芯片”四大重點方向,瞄準柔性顯示、Micro-LED等前沿技術,補齊集成電路設計短板,持續做大晶圓制造規模,不斷提升封裝測試水平,鼓勵面板產線技術升級,全力做好金融服務支撐,注重相關專業人才培養,高質量布局“2+N”半導體產業規劃
 
2021年8月3日,重慶市人民政府發布《重慶市制造業高質量發展“十四五”規劃(2021—2025年)》(渝府發〔2021〕18號)。
 
《規劃》提出要重點發展包括半導體在內的新一代信息技術。
 
(1)依托重慶市電源管理芯片發展基礎,以IDM(整合元件制造)為路徑,加快后端功率器件發展,打造重慶市半導體產業核心競爭優勢;
 
(2)發揮重慶市數模/模數混合集成電路技術優勢,積極培育物聯網(工業互聯網)芯片、激光器芯片、探測器芯片等專用芯片及相關器件;
 
(3)面向消費電子、汽車電子、5G(第五代移動通信)等領域現實需求,推進集成電路公共服務平臺建設,培育引進一批集成電路設計龍頭企業,探索設計成果本地化流片途徑,豐富重慶市集成電路產品種類;
 
(4)加強WLP(晶圓級封裝)、TSV(硅通孔)、FC(倒裝)、MCP(多芯片封裝)、3D(三維)等先進存儲封裝技術研發應用,滿足多樣化的封裝需求。加強寬禁帶半導體材料技術研發和在半導體產品中應用,搶占未來競爭高地。
 
(5)先進傳感器及智能儀器儀表:智能化CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器、溫度傳感器、濕度傳感器、壓力傳感器、慣性傳感器、重力感應傳感器、指紋識別傳感器、二維/三維視覺傳感器、力矩傳感器、碰撞傳感器等先進傳感器產品。
 
《重慶市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,發展新一代信息技術,打造半導體優勢產品譜系。
 
(1)功率器件,微機電系統(MEMS)傳感器,模擬/數模混合芯片,存儲芯片,人工智能芯片,硅基光電芯片等半導體。
 
(2)有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)、微型發光二極管(MicroLED)等面板及下游,激光顯示、激光電視,超高清視頻等新型顯示產品及內容,智能可穿戴設備,智能家居,服務機器人,智能視覺終端等新型智能終端。
 
(3)高密度、柔性印制電路板,片式元器件,高端濾波器,天饋線等新型電子元器件。
 
(4)基礎軟件,工業軟件,平臺軟件,高端行業應用軟件,新興軟件,信息安全軟件等。
 
(5)緊盯軟件定義汽車、芯片制造汽車、數據開發汽車等新動向,重點發展車規級芯片。
 
(6)加快先進基礎材料開發,突破關鍵戰略材料技術。重點發展功能改性高分子材料等先進基礎材料、化合物半導體材料。
 
重慶集成電路產業將主要從以下方向發力:
 
(1)補齊集成電路設計短板。加快建設集成電路公共服務平臺,完善EDA工具、IP庫、檢測等公共服務功能。引進培育一批集成電路設計龍頭企業,打造集成電路設計產業集聚區。
 
(2)做大晶圓制造規模。引進、合資合作建設一批大尺寸、窄線寬先進工藝晶圓制造重大項目,加快建設晶圓制造類重大項目。
 
(3)提升封裝測試發展水平。發展高密度、高可靠性先進封裝工藝,推進SK海力士、華潤封測等項目加快建設和產能爬坡,進一步壯大封裝測試產業規模。
 
(4)重點補強專用設備鏈條。以川渝聯合建設世界級電子信息和裝備制造產業集群為契機,重點發展設備產業。重點聚焦發展潛力巨大、國產替代容易、技術門檻較低的特種檢測設備領域。
 
重慶高新區(西永微電園)
西永微電園從集成電路全產業鏈出發,構建從EDA平臺、共享IP庫、芯片設計、制造到封裝測試的集成電路全新產業鏈。目前占重慶市集成電路產值的70%以上。
 
安徽省(簡稱:皖)
2018年,安徽省發布《安徽省半導體產業發展規劃(2018-2021年)》提出,構建“一核一弧”的半導體產業空間分布格局。
 
1、核心布局。合肥市要發揮現有產業基礎優勢,以重大項目為引領,積極推進面板驅動芯片、家電核心芯片、汽車電子芯片模塊國產化,打造集成電路設計、制造、封裝測試、裝備和材料全產業鏈,完善產業配套,輻射帶動全省半導體產業發展。
 
2、弧形布局。蚌埠市要把握軍民融合大趨勢,拓展微機電系統(MEMS)等產品的研發與制造空間,推進在工業、汽車電子、通信電子、消費電子等領域的應用。滁州市要依托區位優勢,重點發展半導體封裝測試產業和半導體材料產業。蕪湖市要以化合物半導體為突破口,積極推進在汽車、家電等領域的應用。銅陵市要利用引線框架、封裝測試設備的研發與制造基礎,探索發展高純金屬靶材、鍵合金屬絲(銅絲為主),積極創建半導體設備研發中心及國家半導體設備研發生產基地。池州市要持續推動半導體分立器件的制造、封裝測試等,實現產值突破,形成產業規模。省內其他城市要結合產業基礎,支持配套產業發展,拓展應用領域,逐漸融入“一核一弧”半導體產業鏈條。
 
《安徽省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》指出,在集成電路方面,重點開展先進工藝芯片制造技術、新型集成電路芯片、光通信芯片和高端芯片設計技術、集成電路核心設備、新型 MEMS 器件、EDA 軟件等研發,開展系統級封裝平臺建設。
 
《規劃綱要》提出戰略性新興產業集群建設工程,做大做強長鑫、晶合等龍頭企業,迅速提升集成電路制造規模和能級,積極參與國家集成電路制造業創新中心等平臺建設,打造高效協同的集成電路產業集群。
 
合肥市
2020年發布的《合肥市數字經濟發展規劃(2020-2025年)》提出,穩步壯大集成電路產業。
 
1、全力推進長鑫芯片生產線建設。以顯示驅動、智能家電、汽車電子、功率集成電路、存儲器等芯片為切入點,通過應用牽引搭建產業合作平臺、公共服務平臺,瞄準先進工藝,積極聯合行業領軍企業建設高水平集成電路芯片生產線和先進封裝測試生產線。
 
2、積極培育芯片設計企業。招引培育優秀芯片設計企業,發揮好集成電路產業發展基金引導作用,助力芯片設計企業快速發展。依托芯片設計龍頭企業開展顯示驅動、汽車電子、數字家庭、移動互聯網、物聯網、云計算等領域的芯片設計和系統解決方案研究。
 
3、發展新型功率器件和分立器件。鼓勵發展基于氮化鎵的高溫大功率電子器件和高頻微波器件,基于砷化鎵的光電器件和微波器件等新型功率器件,鼓勵企業研發集成、邏輯、控制、檢測和保護電路的新型智能功率器件,發展面向工業和汽車的新型功率模塊相關產品。
 
4、提升材料和設備供給能力。引進具備條件的單位開展集成電路關鍵設備、材料的研發和產業化,支持國產裝備、材料在集成電路生產線上的應用。
 
《合肥市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》提出產業集群培育行動計劃。集成電路:聚焦芯片設計、芯片制造、封裝測試、設備和材料等領域,加大動態存儲、顯示驅動、GPU、MCU、DSP、FPGA、CMOS、可控硅、分立器件、化合物半導體、IP核、EDA等技術研發,重點加快長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地建設,推動晶合12英寸晶圓制造基地二期、沛頓集成電路先進封測和模組生產、第三代功率半導體產業園等項目建設,促進海峽兩岸(合肥)集成電路產業合作試驗區建設,打造中國IC之都。
 
合肥市將加快國產集成電路的技術創新步伐,進一步完善“合肥芯”“合肥產”“合肥用”全鏈條,全面提升國家集成電路戰新產業集群能級。目前,在產業布局上,合肥市已形成了經開區、高新區、新站高新區三大集成電路產業基地,擁有集成電路企業近300家,聚集從業人員超過2萬人,初步完成了產業布局,成為國內集成電路產業發展最快、成效最顯著的城市之一,被國家發改委、工信部列為集成電路產業全國重點發展城市,獲批了全國首個“海峽兩岸集成電路產業合作試驗區”和國家首批集成電路戰略性新興產業集群。
 
池州市
《池州市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,發展壯大半導體產業。堅持把半導體產業作為全市戰略性新興產業的首位產業,推動半導體產業向5G、IC設計、大數據和云計算、人工智能等融合領域延伸,提升省級半導體產業基地能級,打造全國有特色的分立器件產業基地和設計、封測產業基地。到2025年,引進培育20家以上集成電路設計企業、50家封裝測試企業、5家晶圓制造企業,以半導體為核心的新一代信息技術產業產值突破300億元。
 
《規劃綱要》提出“建芯”工程和“固器”工程。
 
“建芯”工程。按照“抓兩頭(設計、封裝測試)、促中間(制造)”的發展思路,壯大芯片設計,做強封裝測試,突破晶圓制造和材料。開展應用領域專用芯片以及5G、傳感器、圖像處理、數字信號處理等高端芯片研發。大幅提升封裝測試水平,加快先進封裝和測試技術的開發及產業化。聚焦特色芯片制造,加強化合物半導體生產線的布局和建設。促進半導體清洗、修復等配套產業協同發展。
 
“固器”工程。鞏固GPP分立器件優勢,搶抓新型基礎設施建設契機,聚焦電源控制芯片市場,大力發展新一代半導體分立器件,加快發展關鍵電子材料。到2025年,打造2-3家產值超5億元的分立器件IDM (設計+制造+封裝)龍頭企業及20家配套企業,形成功率半導體器件-模塊-芯片的全鏈條設計生產能力。
 
《規劃綱要》提出半導體產業發展重點:
 
集成電路設計。重點開發以應用為導向的定制化芯片,大力發展面板顯示及觸控驅動芯片、汽車電子芯片、家電芯片、MEMS傳感器、高端電力電子功率器件等專用芯片設計,引導芯片設計企業與整機制造企業協同開發,推進產業化。
 
封裝測試。重點發展芯片級封裝(CSP)、晶圓級封裝(WLP)、系統級封裝業務(SIP)、三維封裝等新型封裝,以及邏輯芯片檢測、射頻芯片測試、存儲芯片測試、系統級測試、芯片可靠性測試等檢測重點領域。
 
晶圓制造。圍繞新能源汽車、5G通信等重點領域,布局GaAs、GaN、SiC等化合物晶圓生產線,滿足高功率、高頻率、高效率等特殊應用需求。
 
關鍵電子材料和專用配套設備。引入發展高精度電子銅箔,大力發展導電膜玻璃、引線框架、電子化學試劑、封裝自動化設備、自動分選機等關鍵電子材料和專用設備研發及產業化項目。
 
蕪湖市
《蕪湖市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,微電子領域關鍵核心技術攻堅行動,包括:第三代半導體需要的高純度低缺陷碳化硅和氮化鎵外延片,超高頻、大功率高端器件研發。高頻率太赫茲設備、量子通信設備研發與應用示范等。5G新產品研發與應用示范。
 
蚌埠市
《蚌埠市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,重點建設6吋GaAs微波集成電路制造線和4-6英寸SiC基GaN微波射頻電路制造線,發展集成電路用硅片。突破高速高精度數模轉換芯片技術,研發高速高精度通訊設備的測試儀器,發展微波集成電路設計與制造以及太赫茲測試技術、設備和成套解決方案,擴展太赫茲產品示范使用。
 
馬鞍山市
《馬鞍山市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,圍繞半導體封裝測試領域完善產業鏈,著力建設鄭蒲港新區集成電路封裝測試及相關配套產業集群(基地),打造華東地區具有影響力的半導體封裝測試產業集群;并向IC設計、先進封測領域延伸產業鏈,打造長三角地區具有影響力的半導體產業集群。
 
福建省(簡稱:閩)
《福建省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》在制造業主導產業重大工程電子信息產業中提出,集成電路以第三代半導體、存儲器、專用芯片等制造為核心,帶動設計、封測產業鏈上下游進一步協同,材料設備等配套產業進一步突破,打造東南沿海重要的集成電路產業基地。
 
2021年7月6日,福建省人民政府發布《福建省“十四五”制造業高質量發展專項規劃》(閩政〔2021〕12號)。
 
《規劃》明確做大做強電子信息和數字產業。突出“增芯強屏”延鏈補鏈發展,重點發展特色專用芯片、柔性顯示、LED、自主計算機整機制造及以5G為牽引的網絡通信等領域,深入實施數字經濟創新發展工程,加快數字產業化進程,培育壯大大數據、物聯網、人工智能等新一代信息技術產業。
 
集成電路產業依托福州、廈門、泉州、莆田等重點區域,推進集成電路特色園區建設,加快形成“一帶雙核多園”的集聚發展格局。發揮聯芯、士蘭微、瑞芯微等重點企業作用,加快發展高端芯片,突破28納米以下先進制程工藝,推動MEMS傳感器生產線建成投產。推動三安化合物半導體、士蘭微化合物半導體等項目建設,提升高速芯片、高功率芯片、5G射頻芯片和5G功放芯片等制造工藝水平。研發并產業化內存封裝、系統級封裝、晶圓級封裝等先進封測技術,提升通富、渠梁等企業的生產能力和技術水平。發展特色集成電路設計業,重點開展智能物聯等新一代信息技術應用芯片研發,推進集成電路企業和研發機構移植使用國產軟件工具,引導芯片設計與應用結合,著力提升消費電子領域芯片設計競爭力。增強集成電路材料和裝備本地配套及服務能力,支持大尺寸硅片、光刻膠、高純化學試劑、電子氣體、化合物半導體材料、濺射靶材以及沉積設備、刻蝕設備、半導體檢測設備等研發和產業化。支持建設兩岸集成電路測試省級公共服務平臺,深化閩臺集成電路技術研發、人才培養等領域合作。
 
《規劃》中還指出了福建重點關鍵技術路徑突破工程,在這一工程里,特別提到了集成電路領域。集成電路領域,福建將豐富知識產權IP核和設計工具,完善HBT和0.25微米PHEMT工藝;推動12英寸ID內存芯片生產與技術革新,推動先進制造和特色制造工藝發展,加速化合物半導體研發和應用,加強砷化鎵射頻芯片、氮化鎵/碳化硅高功率芯片制造;提升封裝測試產業發展水平。
 
福州市
2021年6月29日發布的《福州市推進新型基礎設施建設行動方案(2020-2022年)》指出,促進新型基礎設施相關產業鏈集聚發展,支持5G、人工智能和物聯網等領域核心芯片、中高頻器件、智能傳感器的研發、產業化和集成應用,推動形成全產業鏈生態。
 
廈門市
2016年《廈門市集成電路產業發展規劃綱要》發布。《綱要》提出,以集成電路產業支撐的信息技術產業和相關產業規模超4500億元,成為我國集成電路產業發展的重點集聚地區之一,形成具有國內龍頭地位的化合物半導體研發、產業化基地,構建較為完整的產業鏈,在部分領域占有國際半導體產業版圖中的一席之地。
 
2021年8月16日,廈門市工信局印發《廈門市“十四五”先進制造業發展專項規劃》。《專項規劃》提出,在生物醫藥與健康、集成電路、新材料等領域突破關鍵核心技術,培育形成一大批以國產替代、自主可控為核心的創新型企業,企業自主創新能力躋身全國前列。
 
半導體與集成電路方面:緊盯國家戰略方向及國內外市場缺口,以強化區域協同為主線,以突破基礎核心領域為目標,強化關鍵共性技術供給、裝備研發,打造東南沿海集成電路產業核心區。一是促進產品往高端應用場景延伸。推動LED企業向智慧照明、健康照明、農業照明及醫療照明等應用場景發展;推動芯片設計企業向高性能計算機、新型顯示等領域延伸;支持發展面向5G、云計算、物聯網、人工智能等新基建及智慧城市場景的電子元器件;鼓勵發展應用于新能源動力汽車、可穿戴智能裝備等未來熱點應用場景的集成電路產品。二是全力突破關鍵技術環節。重點發展半導體和集成電路制造所需的基礎材料及相關制備工藝。三是加快區域資源整合。依托廈門集成電路設計公共服務平臺、廈門大學國家集成電路產教融合創新平臺等科研平臺,建立健全產教融合、產學合作體系;深化廈臺合作,以重點項目為抓手,加強廈門兩岸集成電路自貿區產業基地建設,加快集成電路關鍵領域取得突破。
 
半導體與集成電路重點發展領域:
 
半導體:發展第三代化合物半導體,刻蝕機、離子注入機、多線切割機、自動封裝系統 、全自動晶圓檢測機。
 
集成電路:發展云計算服務器芯片、新型平板顯示 OLED、MICRO-LED芯片、新能源動力汽車芯片、5G電子元器件 芯片、壓力傳感器、加速度傳感器、微電機陀螺儀、慣性你真棒一器、MEMS硅麥克風芯片,光刻機、刻蝕機、離子注入機、量測設備。
 
泉州市
2016年泉州發布《福建(泉州)半導體產業發展規劃(2016-2025)》提出打造“泉州芯谷”。泉州芯谷主要涵蓋晉江集成電路產業園區(構建集成電路全產業鏈)、南安高新技術產業園區(化合物半導體專業園區)、安溪湖頭光電產業園區(LED全產業基地),以存儲器制造和化合物半導體制造為支柱,吸引設計、封裝測試、制造設備、關鍵原材料等上下游產業鏈配套企業落戶泉州,推動全產業鏈集聚。
 
晉江市
2016年,晉江發布《晉江市集成電路產業發展規劃綱要(2016-2025)》提出,晉江集成電路產業將形成以制造為主,封裝測試、設計為輔,裝備材料和應用終端為配套的集成電路全產業鏈發展格局。
 
莆田市
《莆田市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二O三五年遠景目標綱要》提出,發展集成電路行業,重點延伸發展氮化鎵、碳化硅等集成電路特色工藝,推動8英寸硅基芯片制造和封測項目建設,加快濾波器、射頻芯片、圖像傳感器芯片、嵌入式CPU內核、3D圖像模塊等產業化進程,發展集成電路裝備、設計、封裝和測試等產業鏈。推動莆臺合作半導體產業項目建設,打造兩岸集成電路產業合作示范區。
 
甘肅省(簡稱:甘,隴)
《甘肅省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,提升新型功率器件和集成電路封測能力,延伸發展配套產品,打造西部集成電路封測產業基地。加快智能終端產品、電子材料與元器件 、電器制造業發展,培育形西部重要的電子信息產業集群。
 
《規劃綱要》提出,重點發展的新興產業,發展以氮化鎵為代表的第三代半導體材料制造,依托甘肅省有機半導體材料及應用技術工程中心,推動新型半導體材料與器件關鍵技術研發和成果轉化。
 
天水市
《天水市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,圍繞“強龍頭、補鏈條、聚集群”,堅持“因企施策、一企一策”,以培育優勢產業、骨干企業、品牌產品為重點,加速新一代信息技術與制造業深度融合,發展先進適用技術,實現延鏈補鏈強鏈,推動電子信息等傳統優勢產業做大做強。
 
《規劃綱要》提出,依托華天、華洋、六九一三、天光、慶華電子等企業,引進上下游配套產業鏈,打造電子信息產業基地,重點發展集成電路芯片設計制造、高端引線框架、新一代半導體材料、高端封裝測試、敏感元器件系列產品,打造總產值超過200億元的電子信息產業集群。
 
廣東省(簡稱:粵)
2021年7月30日,廣東省人民政府發布《廣東省制造業高質量發展“十四五”規劃》(粵府〔2021〕53號)。《規劃》提出,打造我國集成電路產業發展第三極,建成具有國際影響力的半導體及集成電路產業聚集區。其中集成電路設計業業務收入超2000億元,設計行業的骨干企業研發投入強度超過20%,全行業研發投入強度超過5%,集成電路制造業業務收入超1000億元,建成較大規模特色工藝制程生產線,先進封測比例顯著提升。
 
《規劃》提出要重點發展新一代信息技術。著力突破核心電子元器件、高端通用芯片,提升高端電子元器件的制造工藝技術水平和可靠性,布局關鍵核心電子材料和電子信息制造裝備研制項目,支持發展晶圓制造裝備、芯片/件封裝裝備3C自動化、智能化產線裝備等。以廣州、深圳、珠海為核心,打造涵蓋設計、制造、封測等環節的半導體及集成電路全產業鏈。支持廣州開展“芯火”雙創基地建設,建設制造業創新中心。支持深圳、汕頭、梅州、肇慶、潮州建設新型電子元器件產業集聚區,推進粵港澳大灣區集成電路公共技術研究中心建設。推動粵東粵西粵北地區主動承接珠三角地區產業轉移,發展半導體元器件配套產業。
 
《規劃》提出要軟件與信息服務。要重點突破CAD(計算機輔助設計)、CAM(計算機輔助制造)、CAE(計算機輔助工程)、EDA(電子設計自動化)等工業軟件。
 
《規劃》對集成電路等十大戰略性新興產業進行前瞻性布局。
 
有關半導體及集成電路的整體布局:推進集成電路EDA底層工具軟件國產化,支持開展EDA云上架構、應用AI技術、TCAD、封裝EDA工具等研發。擴大集成電路設計優勢,突破邊緣計算芯片、儲存芯片、處理器等高端通用芯片設計,支持射頻、傳感器、基帶、交換、光通信、顯示驅動、RISC-V等專用芯片開發設計,前瞻布局化合物半導體、毫米波芯片、太赫茲芯片等專用芯片設計。布局建設較大規模特色工藝制程和先進工藝制程生產線,重點推進模擬及數模混合芯片生產制造,加快FD-SOI核心技術攻關,支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導體器件和模塊的研發制造。支持先進封裝測試技術研發及產業化,重點突破氟聚酰亞胺、光刻膠等關鍵原材料以及高性能電子電路基材、高端電子元器件,發展光刻機、缺陷檢測設備、激光加工設備等整機設備以及精密陶瓷零部件、射頻電源等設備關鍵零部件研制。
 
《規劃》提出廣東有關半導體及集成電路的空間布局:
 
1、芯片設計及底層工具軟件。以廣州、深圳、珠海、江門等市為核心,建設具有全球競爭力的芯片設計和軟件開發聚集區。廣州重點發展智能傳感器、射頻濾波器、第三代半導體,建設綜合性集成電路產業聚集區。深圳集中突破CPU/GPU/FPGA等高端通用芯片設計、人工智能專用芯片設計、高端電源管理芯片設計。珠海聚焦辦公打印、電網、工業等行業安全領域提升芯片設計技術水平。江門重點推進工業數字光場芯片、硅基液晶芯片、光電耦合器芯片等研發制造。
 
2、芯片制造。依托廣州、深圳、珠海做大做強特色工藝制造,廣州以硅基特色工藝晶圓代工線為核心,布局建設12英寸集成電路制造生產線;深圳定位28納米及以下先進制造工藝和射頻、功率、傳感器、顯示驅動等高端特色工藝,推動現有生產線產能和技術水平提升。
 
珠海重點建設第三代半導體生產線,推動8英寸硅基氮化鎵晶圓線及電子元器件等擴產建設。佛山依托季華實驗室推動建設12英寸全國產半導體裝備芯片試驗驗證生產線。
 
3、芯片封裝測試。以廣州、深圳、東莞為依托,做大做強半導體與集成電路封裝測試。廣州發展器件級、晶圓級MEMS封裝和系統級測試技術,鼓勵封裝測試企業向產業鏈的設計環節延伸。深圳集中優勢力量,增強封測、設備和材料環節配套能力。東莞重點發展先進封測平臺及工藝。
 
4、化合物半導體。依托廣州、深圳、珠海、東莞、江門等市大力發展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第三代半導體材料制造,支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體器件和模塊的研發制造,培育壯大化合物半導體IDM企業,支持建設射頻、傳感器、電力電子等器件生產線,推動化合物半導體產品的推廣應用。
 
5、材料與關鍵元器件。依托廣州、深圳、珠海、東莞等市加快氟聚酰亞胺、光刻膠、高純度化學試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發生產,大力支持納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體、功能性金屬粉體、賤金屬漿料等元器件關鍵材料的研發及產業化。依托廣州、深圳、汕頭、佛山、梅州、肇慶、潮州、東莞、河源、清遠等市大力建設新型電子元器件產業集聚區,推動電子元器件企業與整機廠聯合開展核心技術攻關,建設高端片式電容器、電感器、電阻器等元器件以及高端印制電路板生產線,提升國產化水平。
 
6、特種裝備及零部件配套。依托珠三角地區,加快半導體集成電路裝備生產制造。支持深圳加大集成電路用的刻蝕設備、離子注入設備、沉積設備、檢測設備以及可靠性和魯棒性校驗平臺等高端設備研發和產業化。支持廣州發展涂布機、電漿蝕刻、熱加工、晶片沉積、清洗系統、劃片機、芯片互連縫合機、芯片先進封裝線、上芯機等裝備制造業。支持佛山、惠州、東莞、中山、江門、汕尾、肇慶、河源等市依據各自產業基礎,積極培育特種裝備及零部件領域龍頭企業及“隱形冠軍”企業,形成與廣深珠聯動發展格局。 
 
廣州市
2020年9月,廣州市工業和信息化局印發了《廣州市加快發展集成電路產業的若干措施》提出爭取納入國家集成電路重大生產力布局規劃,建設國內先進的晶圓生產線,引進一批、培育一批、壯大一批集成電路設計、封裝、測試、分析以及深耕智能傳感器系統方案的企業,爭取打造出千億級的集成電路產業集群,建成全國集成電路產業集聚區、人才匯聚地、創新示范區。
 
《廣州市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,做精做深細分產業鏈,以特色配套新型顯示電路生產制造為契機,積極布局集成電路研發設計與封裝測試環節,吸引集成電路設計、制造與封裝企業來增城發展。推動產業協同,以硬件制造為切入點,高起點規劃建設信創產業園,推進CPU芯片、服務器、數據庫、終端安全產品等企業集聚,大力引導應用軟件及配套產業集聚。力爭到2025年,新一代信息技術產值(營收)規模超1000億元。
 
深圳市
2019年5月15日發布的《深圳市進一步推動集成電路產業發展行動計劃(2019-2023年)》指出,深圳將建成具有國際競爭力的集成電路產業集群。設計業銷售收入突破1600億元,制造業及相關環節銷售收入達到400億元。引進和培育10家銷售收入20億元以上的骨干企業。
 
《深圳市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,建設世界級新一代信息技術產業發展高地。強化集成電路設計能力,優化提升芯片制造生產線,加快推進中芯國際12英寸晶圓代工生產線建設,積極布局先進制程集成電路制造項目,增強封測、設備和材料環節配套能力,前瞻布局化合物半導體產業,高水平建設若干專業集成電路產業園區。
 
《規劃綱要》列示集成電路攻關重點領域:重點圍繞芯片架構等開展技術攻關,發展絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS)等特色工藝,發展碳化硅等化合物半導體。
 
珠海市
2020年10月,珠海市發布的《珠海市大力支持集成電路產業發展的意見》提出,初步建成高端引領、協同發展、特色突出的具有國際競爭力的集成電路產業集群。
 
(1)壯大芯片設計產業規模。加強政策扶持與引導,支持珠海芯片設計規上企業加大研發投入,積極對接國家科技計劃和重大項目,形成一批標志性自主創新成果。
 
(2)提升高端芯片設計水平。加強芯片設計能力塑造提升,在嵌入式SoC、高性能數模混合集成電路、新型顯示專用芯片、智能計算芯片、新型存儲器、工業金融電力等重點行業應用的SoC芯片、通信芯片、安全芯片等重點產品和技術上,形成差異化特色優勢,骨干企業設計水平實現引領全球創新。
 
(3)引進培育設計龍頭企業。加大對集成電路設計企業的招商引資力度,引進和培育一批具有自主知識產權、具有行業影響力的集成電路設計龍頭企業,支持EDA工具研發企業、IP設計及服務企業到珠海落戶,帶動珠海集成電路設計向高端發展。
 
(4)重點建設12寸中試研發線、IC產業云服務平臺、快速封裝測試分析平臺、集成電路設計服務中心、集成電路IP共享中心和工程服務中心,為集成電路企業提供中試研發、EDA、IP、設計、多項目晶圓(MPW)等領域的公共服務,提升珠海集成電路產業深度技術支撐能力。
 
(5)大力支持和引進IDM企業。探索發展虛擬IDM、共享IDM等新模式。推動珠海現有領軍企業建設特色工藝生產線和中試研發線,確保市場潛力大、產業基礎好、且涉及國家安全的關鍵特色工藝領域快速發展。
 
(6)通過建設EDA布局布線創新平臺、先進半導體IP和定制量產平臺,強化與各大foundry廠的合作。支持8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產生產線增資擴產,迅速形成規模生產能力,打破阻礙珠海集成電路產業發展的瓶頸。
 
(7)加快提升封測等環節配套能力。積極對接國際國內封測技術領先企業,積極引進系統級封裝、三維封裝、面板級以及晶圓級封裝等先進封裝技術和團隊在珠海產業化,逐步滿足本地市場廣泛需求。加大對本地第三方代工測試企業扶持和培育力度,做大做強集成電路企業自有封裝廠,引導本地企業通過業務并購、增資擴產等方式實現快速擴張。
 
(8)加快關鍵裝備和材料配套產業發展。加強集成電路關鍵設備、零部件及材料企業和創新團隊的引資引智工作。大力引進包括刻蝕、清洗、離子注入、CMP、ATE等關鍵環節裝備領域的龍頭企業。面向硅晶圓、光刻膠、拋光液、濺射靶材、金屬絲線、清洗液、中高端電子化學品等專用原材料領域培育和引進國內外龍頭企業。發展非硅基材料、化合物半導體材料等新興領域,發展高端封裝基板、通信天線等高附加值的泛電子泛半導體產業,逐步完善珠海集成電路產業鏈布局。
 
珠海高新區
《珠海高新區集成電路產業發展規劃(2020-2025年)》中指出,珠海高新區力爭到2025年形成一個兩百億級產業集群(芯片設計)、一個百億集群(化合物半導體),建成在珠三角乃至全國范圍內都有較強影響力的集成電路產業聚集區。
 
《發展規劃》提出三個方向,一是做大做強芯片設計,立足本地設計企業集聚、周邊終端企業眾多的基礎,重點發揮優勢,形成特色;二是做精化合物半導體,重點聚焦氮化鎵、磷化銦、碳化硅等新材料、新器件、新工藝;三是做好產業鏈式延展,重點對接國內封裝測試和模組制造領域龍頭企業,招引有建封裝測試工廠需求的集成電路設計企業到高新區建廠。
 
廣西壯族自治區(簡稱:桂)
《廣西壯族自治區國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,培育壯大新一代信息技術;超前布局第三代半導體、人工智能等未來產業。
 
2021年6月3日,《廣西集成電路產業發展規劃(2021-2025年)》通過評審。
 
貴州省(簡稱:貴,黔)
《貴州省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,加快培育智能制造裝備產業,培育發展芯片、減速機、傳感器等核心零部件及控制系統制造業;加快創新技術服務平臺建設,加快人工智能技術研發創新平臺、智能語音開放創新平臺、自動駕駛和智能機器人研發平臺等建設,推進深度學習框架、智能芯片產品研發和應用,建設人工智能實驗室;加快發展大數據電子信息產業,加快發展智能終端、集成電路、新型電子元件與電子材料等高端電子信息制造業。
 
河北省(簡稱:冀)
《河北省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,打好關鍵核心技術攻堅戰,瞄準新一代人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、航空航天等前沿領域,實施一批發展急需的重大科技項目,積極參與國家戰略性科學計劃和科學工程;構筑現代產業體系新支柱,推進基礎材料、關鍵芯片、高端元器件、生物識別等核心技術攻關,大力發展整機、終端產品,促進大數據、云計算、物聯網、人工智能、區塊鏈等技術集成創新和融合應用,做大做強行業領軍企業,重點建設廊坊新型顯示、石家莊光電與導航、辛集智能傳感器等產業基地,形成具有全國影響力的優勢產業集群。
 
2020年4月19日,河北省人民政府發布了《河北省數字經濟發展規劃(2020-2025年)》。《規劃》提出,培育壯大半導體器件產業。大力發展第三代半導體材料及器件,支持碳化硅、氮化鎵單晶及外延研發產業化,推進高端傳感器、光機電集成微系統(MEMS)、光通信器件等產品研發及產業化,壯大功率器件及微波集成電路產業。推動第三代北斗導航高精度芯片、太赫茲芯片、衛星移動通信射頻終端芯片研發及產業化。支持太赫茲高功率可控發射器、關鍵元器件研發及產業化,建設太赫茲產業基地。
 
《規劃》提出,推進科技成果產業化。利用創新成果轉化體制機制,激活中電科13所、54所、中船重工718所創新資源,推進第三代半導體材料、微電子機械系統(MEMS)、數字集群無線通信系統、衛星應用通信系統、先進復合材料、特種電子氣體、制氫裝備等重大科技成果產業化。
 
石家莊市
2021年4月23日,石家莊發布《關于新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的實施意見》的通知。《實施意見》提出,培育集成電路上市企業3家以上,并形成以集成電路專用材料、集成電路設計、集成電路加工制作、集成電路封裝測試為核心的較為完備的產業鏈。
 
培育集成電路基礎材料優勢提升工程:擴大氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)晶圓加工能力,提升4英寸/6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延材料品質,加快6英寸碳化硅外延、氮化鎵外延、12英寸硅外延以及高性能陶瓷封裝材料量產化進程。
 
培育專用集成電路設計與制造發展工程:提升微波集成電路、射頻集成電路、超大規模SoC芯片、微機電系統(MEMS) 器件、光電模塊、第三代北斗導航高精度芯片、射頻識別 (RFID)芯片等設計水平,推進芯片設計與制造一體化發展;實施5G通信基站用射頻前端套片及模塊重點項目,建設特色集成電路生產線,推動射頻前端芯片、濾波器芯片等實現產業化。支持開展功率半導體器件與功率集成芯片產品研發及產業化。
 
河南省(簡稱:豫)
《河南省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,推進數字產業化發展,推動智能傳感器、射頻卡、嵌入式芯片、傳感網絡設備等物聯網產品升級和體系拓展,做優車聯網、醫療物聯網、家居物聯網等產業,協同發展云服務與邊緣計算服務,構建物聯網全產業鏈。
 
黑龍江省(簡稱:黑)
《黑龍江省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,建設好一批質量高、拉動能力強的重大項目,其中包括萬鑫石墨谷、第三代半導體材料碳化硅襯底材料及生產裝備等項目。
 
湖北省(簡稱:鄂)
2019年湖北發布《關于推進全省十大重點產業高質量發展的意見》。湖北省將依托國家存儲器基地,重點發展存儲芯片、光通信芯片和衛星導航芯片,努力形成以芯片設計為引領、芯片制造為核心、封裝測試與材料為配套的較為完整的集成電路產業鏈。
 
《湖北省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,集中力量和資源推進國家存儲器基地建設,加快實現技術趕超和規模提升,建成全國先進存儲“產業航母”。加快發展物聯網芯片、北斗芯片等,補齊封裝測試短板,完善產業創新體系和發展生態,打造全球知名的集成電路產業基地;打好關鍵核心技術攻堅戰,探索形成社會主義市場經濟條件下新型舉國體制湖北路徑。實施關鍵核心技術攻關工程,圍繞三維存儲芯片、硅光芯片、新型顯示材料、高端醫學影像設備等重點領域,加強產業鏈上下游協同,推動“臨門一腳”關鍵技術產業化,實現率先突破;打造具有國際競爭力的產業集群,推進集成電路、新型顯示器件、下一代信息網絡、生物醫藥等國家戰略性新興產業集群建設,著力培育具有國際競爭力的萬億級光電子信息、大健康產業集群。構建“光芯屏端網”縱向鏈合、橫向協同的發展機制,突出“光”特色,做強“芯”核心,做大“屏”規模,強化“端”帶動,優化“網”生態,發揮重大項目支撐引領作用,推動建立以武漢為核心,沿江城市分工協作的產業布局。
 
2021年7月,湖北發布《中共湖北省委、湖北省人民政府關于新時代推動湖北高質量發展加快建成中部地區崛起重要戰略支點的實施意見》。《實施意見》提出,堅持戰略性新興產業引領,實施戰略性新興產業倍增計劃,著力打造以“光芯屏端網”為重點的新一代信息技術和;培育壯大集成電路、光通信及激光、新型顯示、智能終端、信息網絡、軟件及信息服務、人工智能、電子信息材料、生物醫藥及醫療器械、數字創意等10個千億級特色產業集群。
 
武漢市
2019年,武漢發布《武漢市人民政府關于推進重點產業高質量發展的意見》。《意見》提出,武漢將依托國家存儲器基地,重點發展存儲芯片、光通信芯片和衛星導航芯片,形成以芯片設計為引領、芯片制造為核心、封裝測試為配套的較為完整的集成電路產業鏈。
 
《武漢市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》提出,圍繞國家戰略性新興產業發展領域和方向,集中力量發展集成電路、新型顯示器件、下一代信息網絡、生物醫藥四大國家級戰略性新興產業集群。發展“光芯屏端網”新一代信息技術。聚焦光電子、硅光及第三代化合物半導體芯片、5G通信與人機交互、虛擬現實、智能終端、信息網絡等,打造“光芯屏端網”萬億產業集群。到2025年,“光芯屏端網”產值5000億元。
 
湖南省(簡稱:湘)
2020年2月,湖南省發布的《湖南省數字經濟發展規劃(2020-2025年)》提出,形成以設計業為龍頭、特色制造業為核心、裝備及材料等配套產業為支撐的發展格局,成為全國功率器件中心、第三代半導體重要基地、集成電路設計和裝備特色集聚區。
 
發展壯大電子信息制造業。搶抓信息技術應用創新發展重大機遇,放大特色優勢,強化核心基礎零部件(元器件)、先進基礎工藝、關鍵基礎材料和產業技術基礎發展能力,加快打造成為享有盛譽的國家級產業集群。面向高端設計、特色工藝制造、先進封測、關鍵設備和材料等領域,推進集成電路產業發展。建設國家功率半導體制造業創新中心等創新平臺,推動關鍵共性技術突破。
 
著力突破關鍵核心技術。圍繞集成電路等行業,重點突破寬禁帶半導體、CPU、GPU、DSP、SSD等技術,發展面向通用芯片、專用芯片等領域的高端定制設計、研發、生產服務能力。
 
集成電路產業成長工程:提升集成電路設計業,力爭在CPU、GPU、DSP、SSD、4K/8K、5G等高端芯片產業化上實現突破。壯大集成電路關鍵設備,發展離子注入機等集成電路裝備,研發光刻機、刻蝕機等關鍵設備技術,提升集成電路國產化裝備和成套建設能力和水平。布局新一代半導體產業,推動IGBT、第三代半導體等重大項目,構建完善產品鏈,促進氮化鎵和碳化硅器件制造技術開發,發展器件級、晶圓級封裝和系統級測試技術,提升工藝技術水平,加快實現規模化生產能力。推進功率半導體器件創新中心等創新平臺建設,探索行業共性關鍵技術聯合攻關和產業化路徑。
 
《湖南省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,推進半導體關鍵核心成套設備研發和產業化,加快6英寸碳化硅材料及芯片、中低壓功率半導體等產業化發展,建成全國最大碳化硅全產業鏈生產基地,創建國家級半導體裝備制造區域中心。
 
株洲市
《株洲市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,大力發展大功率半導體器件產業鏈。重點發展硅基IGBT為主要特征的第三代半導體,推動IGBT器件在風電、太陽能發電、工業傳動、通用高壓變頻器、電力市場等領域的應用。
 
《規劃綱要》提出,關鍵核心技術攻關清單,IGBT大功率器件領域:重點突破硅基IGBT技術瓶頸,重點發展8英寸汽車級 IGBT 變頻控制技術,推進SiC、GaN等寬禁帶為主要特征的第三代半導體的研發;發展芯片制造設備、檢驗監測設備等關鍵設備,發展低壓IGBT芯片、新能源車用IGBT模塊等,發展精細溝槽柵IGBT和寬禁帶SiC半導體芯片和器件,重點發展8英寸汽車級IGBT電控系統基礎器件;發展芯片單晶硅材料、基板材料等基礎材料。
 
吉林省(簡稱:吉)
《吉林省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,建設集成光電子學國家重點實驗室:主要研究高速及特殊應用光電子集成器件、硅基光子學及光子器件集成、光電器件物理及微納集成新工藝、微納光電子與光電集成芯片、光電集成新材料和新器件等領域。
 
《規劃綱要》提出,前沿領域科技攻關項目:極紫外光刻光學關鍵技術研究項目(研究極小像差反射式光學設計協同設計、精密光機結構、深亞納米光學加工與檢測以及極紫外多層膜技術,開展六鏡極紫外光刻物鏡研發與驗證項目中元件面形檢測研究)和高功率高光束質量激光芯片創新研究項目(完善高功率半導體激光器的材料-器件-系統-應用的全技術研究鏈條,突破高功率偏振穩定VCSEL芯片和高功率、小體積、高光束質量中紅外激光技術等技術)。
 
江蘇省(簡稱:蘇)
《江蘇省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,全面增強芯片、關鍵材料、核心部件、工業軟件等中間品創新能力,帶動內循環加快升級。聚焦重點產業集群和標志性產業鏈,瞄準高端裝備制造、集成電路、生物醫藥、人工智能、移動通信、航空航天、軟件、新材料、新能源等重點領域,組織實施關鍵核心技術攻關工程,力爭形成一批具有自主知識產權的原創性標志性技術成果,加快改變關鍵核心技術受制于人的被動局面。
 
南京市
2020年4月,南京市發布的《南京市數字經濟發展三年行動計劃(2020—2022年)》指出,重點攻關第三代半導體材料、功率半導體以及國產EDA工具,高水平建設國家集成電路設計服務產業創新中心,重點發展面向工業互聯網、人工智能、5G、汽車電子、物聯網等領域高端芯片設計、晶圓制造、專用前沿材料及設備。
 
2019年發布的《南京市打造集成電路產業地標行動計劃》提出,力爭到2020年,南京全市擁有銷售收入超100億元的集成電路生產類龍頭企業1-2家,產業人才整體規模達3萬人以上,集成電路設計、制造、封測等關鍵環節核心技術達到國內領先水平,初步建成國內著名的千億級集成電路產業基地。到2025年,集成電路產業綜合銷售收入力爭達1500億元,進入國內第一方陣,實現“全省第一、全國第三、全球有影響力”的產業地標。
 
南京江北新區
《南京江北新區“十四五”發展規劃》提出,打造集成電路產業集群。
 
1、突破“卡脖子”關鍵核心技術。大力發展安全可控的高端芯片設計,支持創建國家集成電路設計服務產業創新中心和國家集成電路設計自動化技術創新中心,高水平建設中國EDA(電子設計自動化)創新中心,加速國產EDA工具和知識產權核商業化進程。深耕智能汽車芯片、物聯網芯片、人工智能芯片、信息通訊芯片、光電芯片等重點領域,圍繞先進晶圓制造及封測、前沿材料研制、高端設備制造等關鍵環節,加快突破三維堆疊封裝、晶圓級封裝、第三代半導體材料、功率半導體等核心技術。
 
2、構建具有根植性的產業生態網絡。大力培育產業鏈“鏈主”企業,招引具有核心競爭力的骨干企業,打造具有地標特色的集成電路產業集群。強化集成電路設計、軟件開發、系統集成、內容與服務協同創新,打造涵蓋芯片、軟件、整機、系統、信息服務的產業生態。突出“應用牽引”“芯機聯動”,拓展集成電路創新產品市場化應用,構筑整機帶動芯片技術進步、芯片支撐整機競爭力提升的生態閉環。放大產業帶動效應,加大人工智能、新一代通信、汽車半導體、智能制造、衛星導航等領域專用集成電路開發力度,吸引帶動上下游企業落戶。
 
3、打造全鏈條式產業服務體系。深化南京集成電路產業服務中心建設,加快人才資源、開放創新、公共技術、產業促進等特色服務平臺功能升級,完善EDA工具、測試與驗證、多項目晶圓、材料和器件分析、知識產權核庫等專業化公共服務平臺體系,打造全國集成電路公共服務平臺標桿。深化南京集成電路培訓基地建設,完善產學融合、學學協同、學科交叉的集成電路產業人才培養機制。持續辦好世界半導體大會、集成電路系列賽事等重大行業活動,推動重大活動品牌化、市場化、平臺化發展。引導國內頂尖的專業咨詢和研究機構在新區開展專業化服務。進一步完善集成電路產業支持政策體系。
 
江寧開發區
江寧開發區正加快打造以第三代半導體為發展特色、以高端設計為未來發展方向的集成電路產業。
 
第三代半導體領域以龍頭企業中國電子科技集團第五十五研究所為引領,主要從事射頻電子、功率電子兩大板塊產品的研發和生產;高端設計領域集聚了臺積電設計服務中心、鉅泉光電總部及MCU研發中心、航天龍夢總部及國產芯片研發中心等重點項目;在重點科研平臺方面擁有毫米波及射頻電子國家重點實驗室、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室、砷化鎵微波毫米波單片集成電路和多芯片模塊國家級重點實驗室等。
 
無錫市
2020年2月無錫發布《關于加快推進數字經濟高質量發展的實施意見》指出要鞏固數字經濟關鍵優勢產業。提升集成電路產業能級。推動物聯網、智能網聯汽車、5G通信、高端功率器件等領域的芯片研發,做大做強設計主業,支持晶圓制造的擴產與技術改造,支持封裝測試業優勢企業整合增效、技術升級。
 
《無錫市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,提升集成電路全產業鏈發展水平,優化無錫國家“芯火”雙創基地等載體平臺,推動一批產業鏈重大項目建設,形成以新吳區制造設計、濱湖區設計、江陰市封裝測試、宜興市材料、錫山區裝備等集成電路產業鏈分工協作體系。高標準建設江蘇集成電路應用技術創新中心,著重開展設計、加工、制造、封裝、測試分析、新材料開發等關鍵共性技術聯合攻關,打造微納加工與測試表征實驗室。重點突破高端通用芯片和專用芯片、基礎軟件和工業軟件、控制系統、核心材料等領域的“卡脖子”問題,積極開展6G技術預研,前瞻性部署石墨烯、區塊鏈、量子技術、深海極地、星際網絡、北斗、氫能及氫能源汽車、化合物半導體等未來前沿技術研發,支持企事業單位先行示范應用。
 
無錫高新區
《無錫高新區(新吳區)現代產業“十四五”發展規劃》指出,集成電路產業,無錫高新區將著眼提升集成電路全產業鏈發展水平,重點發展高端芯片設計、集成電路核心設備及關鍵零部件,支持發展芯片制造和封測業,高水平推進國家集成電路特色工藝及封裝測試創新中心、無錫國家“芯火”雙創基地等重大平臺建設,加快打造世界級集成電路產業集群。
 
《發展規劃》指出,第三代半導體產業,無錫高新區將以市場應用為牽引,面向以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料應用領域,貫穿產業研究、標準檢測、新產品開發、晶圓生產、封裝應用、襯底材料技術、裝備制造等全產業鏈,促進技術研發應用,2025年產業規模突破50億元。
 
江陰市
《江陰市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,攻關集成電路產業集群。依托江陰集成電路設計創新中心,持續深化與中科院微電子研究所合作,強化集成電路設計、軟件開發、封裝測試、系統集成的協同創新,加快核心芯片的設計、開發和產業化。依托長電科技、長電先進、星科金朋等龍頭企業,打造全球領先的高端封裝測試基地。聚焦先進材料和終端產品,縱深挖掘市場前景好、應用范圍廣的光刻膠、感光油墨等特色細分領域,全面融入長三角集成電路產業鏈條。
 
宜興市
《江陰市省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,大力發展集成電路產業。推進錫宜集成電路產業協同,聚焦集成電路材料和裝備,主攻集成電路硅片、電子氣體、光刻膠及配套試劑、先進封裝材料等領域,引進上下游配套企業,打造無錫集成電路產業重要基地。
 
2018年宜興市發布《集成電路材料產業規劃》,預計到2025年,宜興市集成電路材料產業將形成300億規模相關產業。
 
宜興市集成電路材料產業發展將以集成電路硅片、化學機械拋光配套材料、高純化學試劑、電子氣體、光刻膠及配套試劑、掩膜版、化合物半導體材料及器件、先進封裝材料為主。
 
蘇州市
《蘇州市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,打造半導體和集成電路產業鏈。發展集成電路設計、特色集成電路制造,高端集成電路封測,關鍵設備和材料。
 
《規劃綱要》提出,發展車用芯片、安全芯片、網絡芯片、高端數模芯片、硅光芯片等集成電路設計、化合物半導體、MEMS智能傳感。
 
2021年1月,蘇州發布的《蘇州市推進數字經濟和數字化發展三年行動計劃(2021—2023 年)》提出,集成電路產業要聚焦集成電路制造業,著力布局 GaN、GaAs、MEMS 等特色工藝制造產線,穩固封測領域領先優勢,加快芯片設計和產業化,做優集成電路配套,補齊產業發展短板。針對5G產業,要圍繞芯片、射頻器件、光器件和光通信設備等優勢產業發力,培育龍頭企業,基本建立各細分領域相對完整的產業鏈集群。
 
昆山市
2017年發布的《昆山市集成電路產業發展規劃(2017-2021)》提出昆山要打造國內封裝測試產業重鎮、面向應用的集成電路設計產業新高地、長三角地區半導體設備研發中心,并建立二手半導體設備交易集散地,
目前昆山已初步形成了“設計-制造-封裝測試-材料及配套設備”的完整半導體產業鏈。
 
徐州市
《徐州市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,做特集成電路與ICT產業集群。主攻集成電路材料裝備、第三代半導
 
體材料器件、先進封測等領域,形成“材料-裝備-設計-制造-封測”產業鏈,建設徐州經開區、邳州經開區半導體材料與裝備基地,打造全球領先的半導體大硅片制造基地和國內集成電路材料、裝備產業高地。
 
常州市
常州市的儲存電路布局主要位于武進區。
 
武進區
2021年2月發布的《武進區集成電路產業鏈躍升發展實施方案(2021-2023)》提出,堅持以推動集成電路產業鏈躍升發展為主題,以化合物半導體為主要切入口,大力建設集研發、設計、制造、應用全流程的集成電路產業鏈,圍繞建鏈、補鏈、強鏈,加大龍頭企業培育和重大項目招引力度,著力打造“濱湖高地 武進芯谷”。加強產業頂層設計,聚焦砷化鎵等第二代化合物半導體以及碳化硅、氮化鎵等第三代化合物半導體細分產業發展,優化產業發展環境,構建良好產業生態,加強基礎設施配套,實現產業良性有序發展,力爭用較短的時間搭建產業鏈框架,培育形成在全省乃至全國具有競爭力的化合物半導體特色優勢產業鏈。建立完善產業配套。打造集設計、制造、封裝于一體的地區產業鏈IDM模式,支持集成電路產業鏈上下游協同發力,鼓勵集成電路產業和地區主導優勢產業協同合作,實現本地化配套和本地化應用,形成多產業鏈相互促進的全產業鏈發展態勢,實現超常規的跨越式發展模式。
 
江西省(簡稱:贛)
《江西省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,加快推動數字產業化。作為數字產業化的核心,集成電路產業要立足前端材料、后端市場等基礎,以移動智能終端、可穿戴設備、半導體照明等應用芯片研發設計為切入點,做實產用對接,培育設計、制造、封裝、應用產業鏈,打造全國具有影響力的集成電路產業集群。
 
《推規劃綱要》提出“集成電路產業培育工程”,以南昌、吉安、贛州等地為重點,加快打造集成電路產業集聚區。加大集成電路研發投入,精準引進集成電路先進工藝生產線及行業龍頭企業,提升本地芯片設計、封測等能力。
 
南昌市
南昌縣(小藍經開區)
2021年3月,南昌縣(小藍經開區)發布的《半導體及集成電路產業發展三年行動計劃(2021-2023)》提出,將以封裝測試快速切入、以化合物半導體形成突破、以器件模組生產帶動增長、以設備、材料、設計作為補充。力爭到2023年,南昌縣(小藍經開區)落戶半導體企業達50家(其中上市公司5家),形成“封測業支撐、制造業提升、設計業補充、材料裝備等配套產業基本健全”的完整半導體產業鏈,形成初具規模的產業集聚。
 
贛州市
2020年10月,的《關于新時代支持贛南等原中央蘇區新一輪產業高質量發展的若干措施》提出,做大做強電子信息產業,在京九(江西)電子信息產業帶建設規劃框架下,支持發展集成電路產業,培育引進特種芯片和半導體材料等企業。
近年來,贛州市大力發展電子信息產業,著力建設對接融入粵港澳大灣區重要的電子信息產業集聚地,聚焦新型電子材料、新型顯示、芯片設計和封裝測試、汽車電子產業鏈條,加速延鏈補鏈強鏈。
 
遼寧省(簡稱:遼)
《遼寧省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,做大做強集成電路產業。推動集成電路全產業鏈發展,加快沈陽集成電路裝備高新技術產業化基地、大連集成電路設計產業基地、朝陽半導體新材料研發生產基地、盤錦光電產業基地、錦州電子信息產業園等建設。做強集成電路裝備及關鍵零部件等優勢產業,提高集成電路特色材料配套能力。圍繞嵌入式CPU、工業自動化、汽車電子等領域,強化集成電路設計、軟件開發、系統集成、內容與服務協同創新。
 
沈陽市
《沈陽市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,強做優制造業,推進IC裝備零部件產業基地、半導體薄膜設備產業化基地建設,建成國內領先的IC整機設備產業化基地和全球集成電路裝備零部件及系統配套集聚地。
 
支持IC裝備企業研發填補國內空白的產品,發展以涂膠顯影、薄膜沉積設備為核心的IC整機裝備。突破IC裝備關鍵技術工藝,推動集成電路核心零部件表面處理效能提升,加快科技成果轉移轉化,加快推動真空干泵等一批重大研發和產業化項目建設。發揮IC裝備產業聯盟優勢,廣泛吸引上游零部件企業和研發機構落戶。
 
開展集成電路控制系統、涂膠顯影設備、3D NAND和DRAM存儲器薄膜沉積設備等技術攻關。研制28nm集成電路前道單片式清洗設備和大行程連桿型真空機械手產品,突破苛刻工藝用DP系列真空干泵等關鍵技術和工藝,完善和發展“控制系統+重要整機裝備+關鍵單元部件+先進材料”的IC產業創新鏈。
 
關鍵核心技術:3D先進存儲薄膜堆疊層關鍵技術、ALD High-k、Metal Gate等沉積工藝、集成電路10nm以下制程PE-ALD關鍵技術及設備研制、集成電路前道高產能深紫外光刻工藝勻膠顯影設備關鍵技術、65nm光刻工藝勻膠顯影設備研制、苛刻工藝用真空干泵關鍵技術攻關及產業化。
 
大連市
《大連市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,重點依托高新區、金普新區,重點發展集成電路、新型元器件、人工智能等信息技術產業。
 
《規劃綱要》提出建設集成電路產業鏈:構建以集成電路設計為龍頭,集成電路制造和封測為核心、關鍵設備和材料為支撐的具有大連特色的產業集群,成為國內技術水平先進、產業特色明顯、配套功能齊全、人才資源豐富、帶動作用較強的集成電路產業新高地。
 
《規劃綱要》強調集成電路產業“強芯”工程:打造以先進非易失性存儲器為核心的集成電路制造基地。面向高端智能視覺芯片、工業控制芯片、傳感器芯片、信息安全芯片、汽車電子芯片等領域,引進集成電路制造項目。
 
2020年《大連市促進數字經濟發展行動方案》提出,做大做強集成電路產業,打造集成電路完整產業鏈。
 
金普新區
《金普新區促進集成電路產業發展實施方案》提出,到2020年,推動英特爾三期開工建設,以英特爾為龍頭,大力發展集成電路芯片制造業;力爭再引進一家新的集成電路芯片制造生產企業,使新區集成電路芯片制造業更開放、更多元。到2023年,緊緊圍繞英特爾,爭取三期項目竣工投產和研發中心落地,全力引進國內外各大封裝、測試項目落戶新區,推動相關配套產業發展,實現金普新區芯片制造、封測一體化發展。到2028年,形成產業鏈完整、國內技術水平先進、配套功能齊全、人才供給充足、產業發展均衡的集成電路產業集群。
 
(1)著力發展集成電路設計產業。依托省級集成電路設計產業化基地的天然條件和良好基礎,逐步引導集成電路設計產業由高新園區向新區拓展。引進和培育具有國內外競爭力的集成電路設計骨干企業,圍繞高端裝備、智能汽車、5G通信等重點領域應用市場需求,重點發展高端裝備關鍵芯片、汽車電子關鍵芯片、無線射頻通信芯片、模擬和功率集成電路芯片的設計產業。鼓勵推動集成電路設計企業為本地智能裝備制造產業升級等方面提供配套,帶動軟件、制造業、服務業協同發展。
 
(2)壯大集成電路制造產業規模。繼續發揮英特爾項目影響力,支持其技術升級和產能擴充,積極推動其三期項目建設、竣工、投產;廣泛開展國際交流合作,適時引進和建設新的芯片制造生產線,爭取引進集成電路代工企業來新區建廠。多渠道吸引投資,布局建設8英寸及以下、模擬及數模混合電路、微機電系統(MEMS)器件、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等特色工藝生產線,發展功率器件、射頻器件以及5G無線通信芯片等集成電路產品。增強芯片制造綜合能力,以工藝能力提升帶動設計水平提升,以生產線建設帶動關鍵裝備和材料配套發展。著眼長遠發展光通信器件、光照明器件產業,培育新的增長點。
 
(3)重點培育集成電路封裝、測試產業。抓住英特爾非易失性存儲器大規模擴產的有利時機,通過英特爾公司和本地政策激勵方式,引進建設一條為英特爾項目配套的封測生產線;在此基礎上,積極以國內外知名集成電路封裝、測試企業為招商重點,爭取在新區建設集成電路新型封裝技術生產線或功率器件等集成電路特色工藝產品封測生產線,重點發展晶圓級封裝、倒裝封裝、三維封裝、基板封裝等先進技術的研發和產業化,填補集成電路產業鏈空白,推動相關配套產業發展,實現新區芯片制造、封測一體化發展。
 
(4)逐步發展設備材料產業。結合裝備制造業轉型升級和發展智能制造等舉措,鼓勵和支持本地裝備制造業企業進入半導體設備領域,重點發展可應用于本地集成電路制造企業的蝕刻機、清洗機、氣體純化設備、檢測儀器等半導體關鍵裝備;加快本地設備開發及產業化等項目建設,有選擇的引進國內外半導體設備廠商來新區發展。在集成電路關鍵材料領域,發揮新區在氣體材料方面的基礎和優勢,支持科利德等企業發展,鞏固和擴大集成電路 專用氣體工業版圖。
 
內蒙古自治區(簡稱:內蒙古)
《內蒙古自治區國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,加快發展新材料產業,適度在呼和浩特、包頭等地區布局多晶硅、單晶硅及配套延伸加工產業,鼓勵發展電子級晶硅,建設我國重要的光伏材料生產基地。發展高品質藍寶石晶體及切片、LED藍寶石襯底等系列產品,擴大藍寶石在智能終端、航空航天、半導體等領域的應用。
 
寧夏回族自治區(簡稱:寧)
《寧夏回族自治區國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,加快推動數字產業化,打造西部電子信息產業高地。推動電子信息產業加速發展、推進半導體材料、鋰離子電池、半導體照明等產業集成化、高端化發展,加快電子測量儀器、電子專用儀表、電子監測儀器等產品研發與產業化。
 
青海省(簡稱:青)
《青海省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,建設科技創新工程,研究推進鹽湖資源綜合開發利用、干熱巖綜合開發利用、高原醫學、集成電路硅材料等實驗室和工程研究中心建設。
 
山東省(簡稱:魯)
《山東省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,大力發展集成電路產業,引進行業龍頭企業,依托青島芯谷國家集成電路設計高新技術產業基地、山東信通院集成電路設計公共服務平臺,推進嵌入式CPU、存儲器、智能計算芯片等集成電路研發設計和產業化。
 
2021年5月,山東省工信廳草擬《山東省“十四五”工業和信息化發展規劃(征求意見稿)》,并公開征求意見。《規劃》指出,山東將以重大技術突破和重大發展需求為基礎,集中力量發展新一代信息技術、高端裝備、新材料等新興產業。
 
集成電路產業,山東將重點開發電子設計自動化工具(EDA)、高端存儲芯片、數字音視頻處理芯片、熱成像芯片、現場可編程門陣列芯片(FPGA)、信息安全和激光芯片等產品,支持光刻膠、大硅片、高純靶材等關鍵材料研發應用,發展絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS)等特色工藝,加快實施 CPU 等核心器件的國產化適配替代。
 
山東集成電路產業城市布局:濟南重點圍繞高性能集成電路、功率器件、智能傳感器、第三代半導體等細分領域,完善材料、設計、制造、封測等產業環節,壯大產業規模。青島重點發展專用芯片設計、晶圓制造、系統級封裝等產業。煙臺重點發展鍵合絲、封裝基板、MEMS 傳感器、半導體化學材料、紅外探測器產品設計、特色半導體封測等產業。淄博重點發展 MEMS 傳感器、晶圓級封裝、引線框架材料、第三代半導體等產品。濰坊、威海、日照重點發展智能傳感器、功率半導體封測、光刻膠等產業。德州重點發展集成電路用硅片生產。濟寧重點發展半導體分立器件、功率器件及功能芯片、第三代半導體。濱州重點發展半導體分立器件生產和制造。棗莊重點發展硅基輻射探測器芯片產品、高端磁性材料產品等。
 
2021年7月發布的《山東省“十四五”數字強省建設規劃》強調大力發展關鍵基礎產業。
 
集成電路:壯大集成電路設計、封測能力,支持集成電路產業基地建設,培育形成一批具備國際競爭力的IC設計企業,突破大規模集成電路生產能力;鞏固擴大集成電路材料環節優勢,強化集成電路用大尺寸硅片、金絲、硅鋁絲、封裝載帶等材料產業的國內優勢地位;合理部署大規模集成電路制造能力,填補制造環節短板;加快布局第三代半導體產業,打造第三代半導體產業高地。具體有:建設濟南國家集成電路設計產業化基地、 “青島芯谷”集成電路產業基地,實施山東有研12英寸硅片制造、青島惠科6英寸半導體項目等一批重點制造項目;支持濟南等地布局第三代半導體產業集群,推進濟南天岳碳化硅襯底材料項目等項目建設。
 
基礎電子元器件:大力發展面向智能終端、5G、工業互聯網、高端裝備等領域應用需求的核心基礎電子元器件產業,支持發展新型顯示器件、電路類元器件產業化,積極布局傳感類元器件和光電子器件,加強核心光電子芯片技術研發突破,打造自主領先光電子產業體系。具體包括:支持發展新型顯示器件,加快液晶面板、主動矩陣有機發光二極管面板及其模組、背光源、超薄玻璃基板等關鍵材料和器件研發產業化;支持發展電路類元器件,重點發展微型化、片式化阻容感元件,耐高溫、耐高壓、高可靠半導體分立器件及模塊;積極布局傳感類元器件,重點發展小型化、低功耗、集成化、高靈敏度的敏感元件;大力發展光電子器件,突破高速高精度激光器芯片、探測器芯片、硅基集成相干芯片等核心光電子技術,打造自主領先光電子產業體系,支持海信寬帶等重點企業,推進高速800G光模塊技術產業化。
 
2018年10月山東發布《山東省新一代信息技術產業專項規劃(2018—2022年)》。
 
《專項規劃》強調提升集成電路產業發展水平。按照“先兩頭(設計、封裝測試)、后中間(制造)”的發展思路,鞏固材料環節優勢,壯大設計、封裝測試環節,全力突破制造環節,打造集成電路“強芯”工程,形成集成電路材料、設計、制造、封裝、應用的完整產業體系。面向物聯網、云計算、工業控制、汽車電子、醫療電子、金融、智能交通等需求大的領域,推動設計企業與整機企業開展合作,重點開發EDA(電子設計自動化)工具、高端存儲芯片、數字音視頻處理芯片、熱成像芯片、FPGA(現場可編程門陣列)芯片、信息安全和激光芯片等產品。依托濟南、淄博等市產業基礎,建成國內重要的IC卡芯片和MEMS(微機電系統)傳感器封裝測試基地。建設基于BGA(焊球陣列封裝)技術的SIP(系統級封裝)生產線,擴大中高端產品占比。積極引進高端集成電路制造企業,建設大規模集成電路晶圓生產線,填補制造環節短板,盡快形成較為完善的產業鏈。推動龍頭企業做大做強,進一步強化集成電路用金絲、硅鋁絲、封裝載帶等配套材料產業的國內優勢地位。支持濟南發展以碳化硅為代表的寬禁帶半導體產業,建設寬禁帶半導體小鎮,打造全球領先的寬禁帶半導體產業高地。
 
《專項規劃》提出打造集成電路產業集群。該集群將依托濟南、青島、淄博等城市,重點發展集成電路設計、晶圓制造、半導體硅片、IC卡芯片、視聽芯片和智能傳感器封裝等領域,到2022年形成較完整的產業鏈,具備千億級發展潛力,具有全國一流競爭實力。
 
青島市
2019年發布的《數字青島發展規劃(2019-2022年)》提出,以先進模擬集成電路和半導體功率器件、光通信芯片及模塊、MEMS傳感器為主要方向,構建具有青島特色的產業鏈生態,推動產業向價值鏈高端發展。推動嶗山區青島芯谷、即墨區青島(芯園)半導體產業基地、西海岸新區中德生態園集成電路產業基地等集成電路產業園區建設,構建集成電路產業研發設計、制造、封裝測試、終端產品生產和人才培養培訓“五位一體”產業體系,打造青島沿海集成電路產業帶。圍繞智能家電產業,推動配件、專用設備研發和產業化,建設國家新型工業化產業示范基地,支持集成電路、新型顯示等產業與系統整機(終端)協同發展,補齊產業鏈核心基礎環節。
 
2020年5月,青島市發布《市屬企業加快布局“新基建”實現數字化智能化轉型升級三年行動計劃(2020—2022年)》。
 
《行動計劃》指出,以提升青島市數字產業競爭力為目標,發揮國有資本投資運營公司平臺功能,通過股權投資、基金投資等方式,前瞻布局5G產業鏈和5G融合專網、集成電路、人工智能、大數據中心、云計算、物聯網等數字經濟基礎設施和核心產業。到2022年末,市屬企業在5G產業鏈、集成電路、人工智能等領域投資布局一批戰略性新興數字產業重點項目,培育形成發展新動能。
 
山西省(簡稱:晉)
山西省以太原、忻州為核心,以碳化硅、氮化鎵第三代半導體等為重點,形成碳化硅、芯片設計、芯片制造等全產業鏈產品體系,打造太原、忻州半導體產業集群。
 
《山西省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,加快半導體材料提質升級。以山西轉型綜合改革示范區為主平臺建設研發創新策源地,打造一批半導體產業高端創新平臺基地,前瞻謀劃第四代半導體材料研發。圍繞半導體材料、芯片及器件、半導體裝備、光伏和LED等領域的前沿技術和產業化技術集中攻關,優化創新鏈布局。以高純度、大尺寸、高均勻性、高性能、低成本、多功能和集成化為方向,研發新型電子材料及替代進口高端芯片等產品,做大做強砷化鎵、碳化硅等第二/三代半導體襯底材料—芯片—封裝—應用創新鏈條,積極建設國家半導體材料研發生產基地。
 
2021年6月,山西發布《山西省“十四五”新裝備規劃》,提出在電子裝備領域,山西將延伸發展半導體裝備及下游終端產品。發展紅藍寶石晶體生長裝備、平板顯示導光板等半導體產品,重點發展砷化鎵第二代半導體、碳化硅與氮化鎵第三代半導體等產品生產及檢測裝備,提高半導體工藝及產品良品率。進一步延伸發展智能終端、集成電路、新型顯示、智能傳感器等電子產品,實現電子信息裝備制造業智能化發展。積極引入上游裝備制造以及下游器件設計、封裝和應用企業,打造國際有影響力的第二代及三代半導體全產業鏈產業基地。
 
陜西省(簡稱:陜,秦)
《陜西省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,實施“卡脖子”領域關鍵技術攻關工程,啟動高端集成電路與先進半導體器件專項。重點開展12英寸大尺寸硅片和大尺寸微電子級直拉硅單晶、FPGA芯片、無線通信用的核心集成電路IP核和芯片、新型顯示用多光譜芯片、大容量存儲器設計及測試、功率器件和IGBT模塊封裝攻關,以及第三代半導體所需的化合物半導體(碳化硅、氮化鎵)設計與制造工藝研發。
 
提升集成電路產業發展能級,突破前端材料制備及大尺寸晶圓設備產業化,持續擴大閃存芯片制造產業規模,提升功率器件高端化制造水平,爭取邏輯代工生產線落地,鞏固提升封裝測試競爭優勢。圍繞高純度氫氟酸、光刻膠等集成電路生產耗材,引進行業先進企業,提高集成電路本地配套率。
 
西安市
2019年4月,《西安市光電芯片(集成電路)產業發展規劃(2018—2021年)》發布,西安明確半導體產業的核心地位,優先支持核心芯片設計業,推動制造業升級。產業規模:到2021年,西安集成電路產業產值突破1000億元(提前完成,2020年西安集成電路產業產值高達1200億元)。
2019年10月,西安市集成電路產業集群列入第一批國家戰略性新興產業集群發展工程。
2020年10月發布的《西安市現代產業布局規劃》指出,大力發展集成電路、光電芯片、新材料等電子信息產業。
 
集成電路:以三星存儲項目為引領,構建存儲芯片設計、制造、封裝、測試完整產業鏈,建設世界一流高端芯片產業基地,在下一代新型存儲器產業中保持世界領先水平。圍繞三星電子存儲芯片和封裝測試項目抓好配套跟進,擴大美光、華天、力成等存儲芯片制造及封裝測試規模。依托西安克瑞斯、紫光國芯、西岳電子等企業,加快智能終端、網絡通信、存儲器、傳感器、物聯網、軍工等專用芯片的設計與產業化,持續提升西安集成電路設計規模和水平。
 
光電芯片:重點支持DFB/EML激光器、高折射率硅光集成芯片等光通信芯片發展,提升光通信芯片產業的聚集效應和規模效應,推進產業優化和升級。提前布局光子芯片,大力發展智能光子芯片領域的VCSEL芯片、激光雷達、3D識別技術等,帶動生物醫療、量子信息、人工智能、安防檢測、無人駕駛相關領域發展,布局下一個產業的風口。 
 
電子新材料:重點發展電子級硅材料、平板顯示材料、電子漿料、OLED高純有機材料和其他電子專用材料,形成液晶單體、液晶中間體等系列高端產品。重點突破碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代寬禁帶半導體用新型電子材料關鍵技術。加強納米材料技術研發,加快石墨烯低成本批量制備及純化技術和透明電極手機觸摸屏研發產業化。推進液晶材料、濕電子化學品、電子特種氣體、封裝材料、有機發光材料等電子化學品的產業化。
 
四川省(簡稱:川,蜀)
2019年3月四川發布《集成電路與新型顯示產業培育方案》提出,將全力推動全省“一芯一屏”重點突破和整體提升視作助推我省電子信息產業結構升級和發展轉型、支撐我省實現“中國制造”西部高地戰略的關鍵之舉。
 
《培育方案》明確,集成電路將從重點發展集成電路設計業、特色發展集成電路制造業、著力發展集成電路封裝測試業、配套發展集成電路材料和設備業四個方向發力。“兩手抓”集成電路設計龍頭企業規模化發展,一方面繼續招大引強,加速吸引國內外2-3家全國前十的集成電路設計龍頭企業落戶;另一方面大力培育本土力量,積極引導和推動省內企業兼并重組,形成5-10家競爭力強、國內前列的集成電路設計企業。
 
《四川省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,重點發展集成電路設計,提升人工智能、智能終端、物聯網、通信、超高清視頻、汽車電子等領域高端芯片設計競爭能力,發殿核心電子元器件和先進材料,建設以先進光刻光刻為核心的集成電路制造裝備集群。
 
四川相關部門編制了《四川省電子信息產業“十四五”高質量發展路徑研究》《四川省“十四五”存儲產業發展規劃》《四川省傳感器產業發展行動計劃(2021-2023年)》,制定了全省集成電路產業高質量發展的政策措施。
 
成都市
《成都市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,打造世界集成電路重要基地。
目前,成都,這座西南重鎮也成為全國集成電路產業重要聚集區,基本形成了涵蓋集成電路設計、制造、封測、設備及材料等環節的完整產業鏈。發展主要集聚在高新區。
 
成都高新區
成都高新區“十四五”集成電路產業初步規劃,到2025年,全區設計業躋身國內第二方陣前列,超過杭州、西安;培育上市企業10家,實現營收超10億設計企業零突破,爭取培育2家超10億元集成電路設計企業,打造國內領先集成電路設計高地和國家重要的集成電路產業基地。成都高新區占有成都集成電路產業規模的90%。
 
西藏自治區(簡稱:藏)
無。
 
新疆維吾爾自治區(簡稱:新)
 
石河子市
《石河子市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,硅基新材料重大工業項目,推進年產1000噸半導體級晶硅原料、電子專用材料單晶襯底1500錠、50噸半導體單晶原料潔凈廠房及配電站、方芯硅用晶圓棒等項目建設。
 
云南省(簡稱:滇)
云南利用當地豐富的礦產資源和水電資源,積極發展新材料產業。如6英寸砷化鎵單晶片、4英寸磷化銦單晶片以及電子級多晶硅。
 
2021年2月云南省發布《云南省貫徹落實新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策的任務清單》。《任務清單》是為貫徹落實《國務院關于印發新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策的通知》(國發〔2020〕8號)精神,進一步優化我省集成電路產業和軟件產業發展環境,深化產業國際合作,提升產業創新能力和發展質量。
 
2021年8月云南省工業和信息化廳就《云南省“十四五”信息產業發展規劃(征求意見稿)》公開征求意見。《規劃》提出著力打造“一核、一區、兩群、多點”的產業發展新格局,助推新發展階段全省信息產業實現高質量發展。重點發展多晶硅、單晶硅棒硅片生產,并逐漸從單一生產光伏硅產品向同時生產電子級硅產品發展,將半導體材料打造成為一個千億級別的產業集群。
 
浙江省(簡稱:浙)
《浙江省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,聚焦集成電路等十大標志性產業鏈:突破第三代半導體芯片、專用設計軟件(EDA)、專用設備與材料等材料、前瞻布局毫米波芯片、太赫茲芯片、云端一體芯片,打造國內重要的集成電路產業基地。
 
2021年6月29日,浙江省發布的《浙江省數字經濟發展“十四五”規劃的通知》提出要做強基礎產業。深入推進產業基礎再造與產業鏈提升,提升數字安防、高端軟件、網絡通信、新型電子材料及元器件等產業競爭力,做大集成電路、智能計算、新型顯示、智能光伏等產業,加快培育自主可控產業生態及信息技術應用創新產業。打造數字安防、高端軟件、集成電路、網絡通信、智能計算等5個千億級標志性產業鏈和產業集群。
 
集成電路作為基礎產業發展重點方面,《規劃》提出要增強芯片設計能力,加快第三代半導體技術突破,開發5G、汽車、數字安防、智能家居等專用芯片和邊緣計算、存儲器、處理器等通用芯片。發展模擬及數模混合芯片生產制造、高端封裝測試、關鍵材料和核心設備。支持技術先進的IDM布局,推動12英寸晶圓生產線、6英寸以上化合物芯片生產線等建設。
 
《規劃》提出布局未來產業。積極發展量子通信,謀劃發展量子精密傳感測量、量子計算、量子芯片等產業。攻關類腦計算,加快類腦計算芯片、計算機和機器人產業化。發展柔性傳感器、柔性射頻電子標簽、柔性顯示器件、柔性電池等產業。加快下一代移動通信網絡技術和標準研制。
 
2021年7月2日,浙江省人民政府發布《浙江省全球先進制造業基地建設“十四五”規劃》(浙政發〔2021〕20號)。
 
《建設規劃》提出重點發展新興產業、新一代信息技術產業,聚焦數字安防、集成電路、網絡通信、智能計算標志性產業鏈,打造國家重要的集成電路產業基地。
 
《建設規劃》提出新一代信息技術產業。聚焦數字安防、集成電路、網絡通信、智能計算標志性產業鏈,大力發展智能安防終端、系統集成和行業服務平臺,構建“云網端”一體化產業生態;構建較為完善的“芯片-軟件-整機-系統-信息服務”產業鏈;鞏固路由交換設備、網絡通信器件、光纖光纜、通信終端等優勢,補鏈發展射頻器件及材料、5G設備和模塊;做強存儲器、數據庫、服務器、中間件等關鍵產品。培育發展智能光電、網絡安全、超高清視頻顯示等新興產業。加快發展軟件與信息服務、物聯網系統與應用等產業。打造國家重要的集成電路產業基地、全球數字安防產業中心、信息技術自主創新基地。
 
浙江省出臺的《浙江省實施制造業產業基礎再造和產業鏈提升工程行動方案(2020-2025年)》指出,到2025年,浙江省十大標志性產業鏈之一的集成電路產業鏈,要突破第三代半導體芯片、專用設計軟件(電子設計自動化工具等)、專用設備與材料等技術,前瞻布局毫米波芯片、太赫茲芯片、云端一體芯片,打造國內重要的集成電路產業基地。形成以杭州、寧波、紹興為核心,湖州、嘉興、金華、衢州等地協同發展的產業布局。
 
杭州市
《杭州市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出打造包括集成電路在內的九大標志性產業鏈。
 
集成電路方面要推進芯片、軟件、智能終端協調聯動,重點布局高端射頻芯片、RISC-V開源平臺、新一代光電芯片、人工智能及視覺處理芯片、信息安全類芯片、類腦計算芯片、存儲器芯片和第三代半導體等領域,大力發展微機電系統(MEMS)技術和產品,推動電子設計自動化(EDA)軟件、半導體核心設備和關鍵材料的自主攻關。到2025年,產值達到800億元。
 
寧波市
《寧波市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出全力打造特色工藝集成電路產業鏈。重點發展離子注入機、涂膠顯影設備、鍵合機等制造設備和硅片、高純靶材、掩膜版、光刻膠等關鍵材料,加快發展光通信芯片、時鐘芯片等功率器件,提升信號鏈產品及電源管理類產品等模擬芯片工藝和技術。
 
2021年7月27日,寧波市發布《寧波市新材料產業集群發展規劃(2021-2025)》。
 
《發展規劃》在做大做強五大領域方面,電子信息材料發展重點:
 
(1)發展集成電路用大尺寸硅片及外延片,氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等寬禁帶第三代半導體材料,引線框架,鍵合銅絲、掩膜版等輔助材料,CMP拋光材料、DUV/EUV級光刻膠、電子特種氣體、超高純化學試劑、蝕刻液等電子化學品。
 
(2)發展超高純鈦、鋁、鉭、銅等金屬濺射靶材,保障大規模集成電路、半導體芯片、液晶顯示、太陽能板等領域需要。
 
(3)發展平板顯示TFT液晶顯示材料、OLED發光材料、TFT-LCD用偏光片材料,形成系列化產品。
 
(4)發展LCP樹脂、特種環氧樹脂、PTFE樹脂、熱固性聚苯醚樹脂、導電涂料、導電導熱膠等原材料。
 
(5)培育發展氧化鎵、金剛石、氮化鋁超寬禁帶第四代半導體材料,銻化銦、銻化鎵等超窄禁帶半導體材料。
 
空間布局:支持浙江余姚經濟開發區、寧波經濟技術開發區,打造電子信息材料產業集群。
 
寧波將大力培育包括集成電路在內的戰略性新興產業,努力打造具有國際競爭力的特色工藝集成電路產業基地,推動第三代半導體技術和產業規模進入全國第一梯隊。
 
寧波杭州灣新區
2020年發布的《寧波杭州灣新區集成電路產業規劃》提出,新區集成電路產業發展定位為國內領先的功率半導體制造基地、集成電路先進封裝測試產業高地、寬禁帶半導體產業集中區、設備及零部件和材料生產物流中心、集成電路應用中心、高端汽車電子芯片示范中心等六大中心,并力爭未來五年,新區集成電路企業超60家,集成電路關聯產業產值達300億元,從業人數集聚8000人,最終帶動新區數字經濟相關產業規模超過1000億元.
 
紹興市
2019年1月發布的《紹興市數字經濟五年倍增計劃》提出,造大灣區集成電路“芯”高地。以打造集成電路“萬畝千億”級新產業平臺為目標,將集成電路產業作為發展數字經濟核心產業的突破口,聚焦集成電路設計—制造—封裝—測試—設備及應用的全產業鏈,加快補鏈建鏈,致力謀規劃、引項目、育企業、優生態,爭取在重點領域取得實質性突破,在關鍵環節實現精準趕超。
 
(1)實施集成電路制造躍升工程。以增強芯片制造綜合能力為目標,依托中芯國際MEMS(微機電系統)生產線,拓展MEMS領域封裝測試及模組制造,形成MEMS傳感器領域較為完整的產業鏈條,向工業控制、汽車電子領域提升,基本建成國內微機電和功率集成系統制造中心。鼓勵集成電路優勢企業升級建設集成電路先進生產線,提升生產制造技術水平、擴大企業規模、壯大企業實力。到2022年,集成電路制造業產值突破200億元。
 
(2)實施集成電路設計提升工程。依托長三角地區應用市場,著力引進移動通信、物聯網、高端裝備、人工智能等智能控制芯片設計企業,鼓勵現有集成電路設計企業圍繞戰略性新興產業和重點領域的應用需求,開發量大面廣的移動智能終端芯片、數字電視芯片、網絡通信芯片、智能穿戴設備芯片及操作系統,支持集成電路企業以與高校研究院所合作共建研究中心的模式,扎實推進紹興集成電路“萬畝千億”級平臺創新綜合體項目建設,著力構建“方案—芯片—模組—整機”的產業整合生態體系,打造面向智能應用的集成電路設計產業高地。到2022年,集成電路設計產業產值達到100億元。
 
(3)實施集成電路封裝測試完善工程。以集成電路先進生產線建設為引領,以韋爾股份、豪威科技等重大項目為依托,重點聚焦晶圓級封裝等先進技術,建立國內領先的先進封測生產線和封裝技術研發中心。招引和集聚一批封裝、測試企業,加快推進芯片測試、封裝等生產線建設。鞏固擴大現有集成電路芯片封裝、測試產業基礎優勢,支持龍頭骨干企業開展兼并重組,形成集成電路封裝測試產業區域性優勢。到2022年,集成電路封裝測試產業產值達到50億元。
 
(4)實施集成電路應用推廣工程。加快鴻吉智能、北斗導航等企業的建設推進,做實做強北斗高精度導航產品研發生產基地、北斗導航大數據處理中心和位置信息服務平臺,建成浙江北斗產業科技公司孵化基地,打造中國東部北斗技術應用推廣中心。鼓勵集成電路裝備企業與制造企業開展協作,加快集成電路專用設備、8英寸/12英寸硅片等集成電路配套材料的研發和產業化,增強產業配套能力。到2022年,集成電路應用領域產值達到150億元。
 
《紹興市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,加速壯大集成電路產業,打造國家集成電路產業創新中心、長三角集成電路制造基地。
 
近年來,紹興市把集成電路產業列入新興產業重點打造,加快培育形成了芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料設備等較為完整的特色工藝產業鏈,實現了集成電路制造與材料特色化發展。2020年,紹興市123家集成電路產業鏈企業實現產值304億元,同比增長25%,并目標到2025年實現總產值逾1000億元。
2019年5月,《長江三角洲區域一體化發展規劃綱要》正式出臺,建設“紹興集成電路產業創新中心”首次被寫入國家戰略。
 
紹興濱海新區
2020年11月發布的《紹興濱海新區發展規劃》提出,做大集成電路。聚焦創新設計–制造–封測–裝備和材料–存儲和應用產業全產業鏈,以制造封測園、存儲應用園、創新設計園三大園區建設為重點,以標志性項目引進、領軍型企業培育、創新資源要素集聚、體制機制改革為突破口,以“一園一院一基金”模式構建集產業鏈、創新鏈、人才鏈、服務鏈、資金鏈于一體的高端集成電路產業生態,高標準建設集成電路省級“萬畝千億”產業平臺,建設成為長三角集成電路產業新高地、國家集成電路產業創新中心、集成電路國家及省級實驗室。
 
紹興濱海新區的集成電路“萬畝千億”產業平臺,已布局招引了70余個產業項目,項目總投資超過3000億元,擁有豪威科技項目、中芯紹興項目、長電科技(600584)項目等頭部項目。
 
2019年4月,“紹興集成電路產業平臺”入選首批省級“萬畝千億”新產業平臺。“萬畝千億”產業平臺已布局招引了70余個產業項目,總投資超過3000億元。聚集了豪威科技項目、中芯紹興項目、長電科技項目等頭部項目的紹興濱海新區,正在打造國內知名的集成電路產業集群和產城融合發展引領高地,推動著一輪全新的轉型。
 
嘉興市
《嘉興市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,重點發展氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料,各類微機電系統(MEMS)傳感器、半導體芯片等,集成電路材料、集成電路專用裝備與制造等,推動構建設計、制造、封裝、測試全產業鏈,重點布局南湖、嘉善、海寧等半導體產業基地。
 
金華市
《金華市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,加快推進數字產業化。培育信息光電、光學膜、化合物半導體等特色電子信息制造業,重點布局整機生產制造、芯片封裝測試等集成電路(芯片)產業。
 
衢州市
《衢州市國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出,集成電路產業鏈提升工程。突破新一代信息技術、先進半導體芯片與材料、特種氣體等關鍵技術,完善集成電路制造產業鏈,做大做強省級集成電路材料產業基地,打造全國具有重要影響力的集成電路產業集群。提升發展電子信息制造業,大力發展高端電子材料、高端存儲半導體等數字經濟核心制造業。
 

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